公开(公告)号：CN112310147B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202010652460.8

申请日：2020-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永倬 ,  朴相真 ,  李源俊 ,  徐慧瑛 ,  申材旭

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

公开(公告)号：CN112310147A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010652460.8

申请日：2020-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永倬 ,  朴相真 ,  李源俊 ,  徐慧瑛 ,  申材旭

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。