-
公开(公告)号:CN108281434B
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN201810010650.2
申请日:2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器,所述图像传感器包括:衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一浮置扩散区,其设置在衬底中并且与第一表面相邻;穿通电极,其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区;顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极;滤色器,其埋置在绝缘结构中;以及顶部接触插塞,其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
-
公开(公告)号:CN109810271B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201811399224.9
申请日:2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 提供了混合型复合物膜、制造混合型复合物膜的方法和包括混合型复合物膜的集成电路装置,所述混合型复合物膜包括:聚合物膜;以及多个有机‑无机复合物颗粒,分散在所述聚合物膜中,其中,所述多个有机‑无机复合物颗粒中的每个颗粒包括无机颗粒和包围所述无机颗粒的有机覆盖层,所述有机覆盖层具有羟基末端。
-
公开(公告)号:CN109810271A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201811399224.9
申请日:2018-11-22
Abstract: 提供了混合型复合物膜、制造混合型复合物膜的方法和包括混合型复合物膜的集成电路装置,所述混合型复合物膜包括:聚合物膜;以及多个有机-无机复合物颗粒,分散在所述聚合物膜中,其中,所述多个有机-无机复合物颗粒中的每个颗粒包括无机颗粒和包围所述无机颗粒的有机覆盖层,所述有机覆盖层具有羟基末端。
-
公开(公告)号:CN111116621A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911053390.8
申请日:2019-10-31
Abstract: 一种有机化合物、有机光电装置、图像传感器和电子装置,所述有机化合物由化学式1表示:[化学式1]其中,在化学式1中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地为氢原子、取代或未取代的C1-C4烷基、取代或未取代的C1-C4烷氧基或者取代或未取代的C1-C4烷硫基,并且A为包括杂芳基的官能团,所述杂芳基包括至少一个硫原子。
-
公开(公告)号:CN108281434A
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201810010650.2
申请日:2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H01L27/14601 , H01L21/77 , H01L27/14603 , H01L27/14625
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器,所述图像传感器包括:衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一浮置扩散区,其设置在衬底中并且与第一表面相邻;穿通电极,其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区;顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极;滤色器,其埋置在绝缘结构中;以及顶部接触插塞,其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
-
-
-
-