图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN108281434B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN201810010650.2

    申请日:2018-01-05

    Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器,所述图像传感器包括:衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一浮置扩散区,其设置在衬底中并且与第一表面相邻;穿通电极,其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区;顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极;滤色器,其埋置在绝缘结构中;以及顶部接触插塞,其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。

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