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公开(公告)号：CN103259985B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310183417.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/37452
Abstract: 一种CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法，所述像素单元包括光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元。所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元，所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元；所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元，所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容，所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容，所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元，所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。本发明技术方案提供的CMOS图像传感器的像素单元，提高了像素单元产生的图像信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN103413816B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310353594.X
申请日：2013-08-14
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法，其中所述CMOS图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的传输晶体管，所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管，所述光电二极管包括深掺杂区，深掺杂区中掺杂的杂质离子的浓度分布，随着深掺杂区与栅极结构的距离的增大而减小。位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输，成像质量高。
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公开(公告)号：CN108470741A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810218968.X
申请日：2018-03-16
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述基底包括若干相互分离的像素区，相邻像素区之间包括阻挡区，所述基底内具有阱区，所述阱区内具有第一掺杂离子；在所述阻挡区基底内形成第一隔离开口，且第一面暴露出第一隔离开口；在阻挡区基底内形成第二隔离开口，且所述第二面暴露出第二隔离开口；形成第一隔离开口之后，或者形成第二隔离开口之后，在阻挡区基底内形成第一阻挡结构，所述第一阻挡结构内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相同。所述方法形成的图像传感器的性能较好。
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公开(公告)号：CN110676275A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910985060.6
申请日：2019-10-16
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器的像素结构及其形成方法，包括：形成第一晶圆，所述第一晶圆内包括感光单元与第一导电结构，所述感光单元与所述第一导电结构电连接；形成第二晶圆，所述第二晶圆内包括存储节点单元与第二导电结构，所述存储节点单元与所述第二导电结构电连接；键合所述第一晶圆与所述第二晶圆，使所述第一导电结构与所述第二导电结构电连接。在本发明的技术方案中，通过将所述感光单元与所述存储节点单元分别设置于所述第一晶圆与所述第二晶圆中，彼此之间相互隔离，避免所述感光单元以及所述外界光线对所述存储节点单元的影响，减小寄生光感效应的产生，进而提升最终形成的图像传感器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428710A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810315834.X
申请日：2018-04-10
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14601 , H01L27/14607 , H01L27/14683
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法和工作方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括多个分立的像素区，所述衬底包括相对的第一面和第二面；分别位于所述衬底像素区中的多个感光元件，所述感光元件用于探测第一光波；分别位于所述第一面像素区上的多个光敏电阻，所述光敏电阻用于探测第二光波，且用于使所述第一光波透过，所述第二光波与第一光波的波长不相等，所述光敏电阻覆盖相应的感光元件，所述光敏电阻包括相对的第一端和第二端；连接所述第一端的第一连接结构；连接所述第二端的第二连接结构。所述半导体结构的集成度较高。
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公开(公告)号：CN103413816A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310353594.X
申请日：2013-08-14
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法，其中所述CMOS图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的传输晶体管，所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管，所述光电二极管包括深掺杂区，深掺杂区中掺杂的杂质离子的浓度分布，随着深掺杂区与栅极结构的距离的增大而减小。位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输，成像质量高。
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公开(公告)号：CN103413817B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310353595.4
申请日：2013-08-14
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法，其中，所述CMOS图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的传输晶体管，所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管，所述光电二极管包括位于半导体衬底内的深掺杂区，所述深掺杂区为梳状结构，所述梳状结构包括梳柄和与梳柄相连的若干分立的梳齿，梳柄靠近传输晶体管的栅极结构，梳齿远离传输晶体管的栅极结构；位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输，成像质量高。
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公开(公告)号：CN103259985A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310183417.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/37452
Abstract: 一种CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法，所述像素单元包括光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元。所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元，所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元；所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元，所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容，所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容，所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元，所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。本发明技术方案提供的CMOS图像传感器的像素单元，提高了像素单元产生的图像信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN103413817A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310353595.4
申请日：2013-08-14
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法，其中，所述CMOS图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的传输晶体管，所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管，所述光电二极管包括位于半导体衬底内的深掺杂区，所述深掺杂区为梳状结构，所述梳状结构包括梳柄和与梳柄相连的若干分立的梳齿，梳柄靠近传输晶体管的栅极结构，梳齿远离传输晶体管的栅极结构；位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输，成像质量高。
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