-
公开(公告)号：CN110676278A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911095816.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种时间延迟积分的CMOS图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：基底，所述基底包括若干光电区，每个所述光电区包括沿所述第一方向排布的第一光电区、第一隔离区以及第二光电区，所述第一隔离区内具有若干相互分立的源漏区；位于每个所述光电区的基底表面的若干栅极组单元，每个所述栅极组单元包括第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，所述第一栅极结构位于所述第一光电区的基底表面，所述第二栅极结构位于所述第二光电区的基底表面，所述第三栅极结构位于所述第一隔离区的基底表面，每个第三栅极结构在所述基底表面的投影包围一个所述源漏区在所述基底表面的投影。从而提高了时间延迟积分的CMOS图像传感器的性能。
-
公开(公告)号：CN109411499A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811288617.2
申请日：2018-10-31
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14605 , H01L27/14689
Abstract: 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器包括：基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，所述第一区和第二区基底内具有第一离子；位于所述第一区基底内的第一沟道，所述第一沟道内具有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；位于所述第一沟道表面的第一栅极结构；位于所述第二区基底表面的第二栅极结构。所述CMOS-TDI图像传感器的电荷读出效率较高，且暗电流较小。
-
公开(公告)号：CN109273477A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811287206.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的若干个相互分立的第一掺杂区；位于各个像素区基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个第一掺杂区。利用所述CMOS-TDI图像传感器能够提高电荷传输效率，改善图像质量。
-
公开(公告)号：CN109216394A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811288580.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器，包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第一掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第一浓度；位于所述第一掺杂区底部基底内的第二掺杂区，第二掺杂区的顶部与第一掺杂区的底部接触，所述第二掺杂区内也具有第一离子，所述第二掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第二浓度，且所述第二浓度大于第一浓度；位于各个像素区内所述第一掺杂区表面的栅极结构。所述CMOS-TDI图像传感器沟道中的电荷传输效率较高。
-
公开(公告)号：CN103259985B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310183417.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/37452
Abstract: 一种CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法，所述像素单元包括光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元。所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元，所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元；所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元，所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容，所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容，所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元，所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。本发明技术方案提供的CMOS图像传感器的像素单元，提高了像素单元产生的图像信号的信噪比。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413816B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310353594.X
申请日：2013-08-14
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法，其中所述CMOS图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的传输晶体管，所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管，所述光电二极管包括深掺杂区，深掺杂区中掺杂的杂质离子的浓度分布，随着深掺杂区与栅极结构的距离的增大而减小。位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输，成像质量高。
-
公开(公告)号：CN102695001A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210168023.4
申请日：2012-05-28
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H04N5/355 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明技术方案一种图像传感器，包括：光电转换单元，适于将接收到的光信号转化为存储电荷；第一存储节点、第二存储节点和开关电容单元，适于在连接至光电转换单元时存储存储电荷；第一读出MOS管，栅极接收第一读出信号，源极连接光电转换单元，漏极连接第一存储节点，第一读出信号在第一光照条件、第二光照条件或第三光照条件下为开启信号；第一开关MOS管，栅极接收第一开关信号，源极连接第二存储节点，漏极连接第一存储节点，第一开关信号在第二光照条件或第三光照条件下为开启信号；开关电容单元，适于接收第二开关信号，在第二开关信号为开启信号时连接至光电转换单元，第二开关信号在第三光照条件下为开启信号。
-
公开(公告)号：CN110783357A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911095808.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种时间延迟积分的CMOS图像传感器及其形成方法，所述时间延迟积分的CMOS图像传感器包括：基底，所述基底包括若干沿第一方向排列的单元区；相互分立且位于所述基底内的第一光电区、第二光电区和源漏区，所述源漏区位于所述第一光电区和所述第二光电区之间，所述第一光电区和所述第二光电区分别横跨所述若干单元区；位于所述单元区内的基底上的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构。从而，能够提高时间延迟积分的CMOS图像传感器的性能。
-
公开(公告)号：CN108470741A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810218968.X
申请日：2018-03-16
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述基底包括若干相互分离的像素区，相邻像素区之间包括阻挡区，所述基底内具有阱区，所述阱区内具有第一掺杂离子；在所述阻挡区基底内形成第一隔离开口，且第一面暴露出第一隔离开口；在阻挡区基底内形成第二隔离开口，且所述第二面暴露出第二隔离开口；形成第一隔离开口之后，或者形成第二隔离开口之后，在阻挡区基底内形成第一阻挡结构，所述第一阻挡结构内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相同。所述方法形成的图像传感器的性能较好。
-
公开(公告)号：CN110729319A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910988600.6
申请日：2019-10-17
Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成光电掺杂区；在所述光电掺杂区表面形成若干栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极层；在所述栅介质层和基底之间的界面处进行掺杂处理，所述掺杂处理用于减少所述栅介质层与所述基底之间的缺陷。本发明的技术方案中，通过在所述栅介质层和基底之间的界面处进行掺杂处理，使所述基底与所述栅介质层形成的缺陷与所述掺杂处理中的第二离子结合，起到钝化的作用，进而减小暗电流的产生，提升了CMOS-TDI图像传感器的图像质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.042 seconds)
