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公开(公告)号：CN106847848B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201611254577.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置和电子设备。这里所披露的是固态成像装置，其包括：半导体基体；光敏二极管，形成在半导体基体上，并且用于执行光电转换；像素部，提供有像素，该像素的每一个具有光敏二极管；第一配线，形成为通过接触部电连接到像素部的半导体基体，并且在第一方向上延伸到像素部之外；第二配线，由与第一配线不同的配线层制作，并且形成为在与第一方向不同的第二方向上延伸到像素部之外；以及接触部，用于将第一配线和第二配线彼此电连接。
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公开(公告)号：CN110062179A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910110411.9
申请日：2014-06-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种固态成像装置、以及一种含有所述固态成像装置的电子设备，它们使得可在抑制具有全局快门功能和相位差AF功能的固态成像装置的分辨率降低的同时提高相位差检测的精度。所述固态成像装置包括多个像素，所述多个像素包括：第一像素，所述第一像素包括第一光电转换单元和第一电荷积聚区域；第二像素，所述第二像素包括第二光电转换单元和第二电荷积聚区域；和遮光膜，所述遮光膜覆盖所述第一像素的所述第一电荷积聚区域、覆盖所述第二像素的所述第二电荷积聚区域、且覆盖所述第二像素的所述第二光电转换单元的一部分。所述电子设备还包括用于处理来自所述固态成像装置的信号的信号处理器。本发明可应用于例如CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN108156400B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810073950.5
申请日：2013-11-07
Applicant: 索尼公司
Inventor： 山下和芳
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L23/5223 , H01L27/00 , H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及改善图像质量的摄像器件、摄像装置以及驱动摄像器件的方法。摄像器件包括：半导体基板，其包括多个光电转换元件和电荷‑电压转换元件；电容量开关，其中，所述电容量开关被所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件共用；第一电荷积累元件，其邻近于所述第一光电转换元件，其中，所述第一电荷积累元件的至少一部分与所述第一光电转换元件的电荷积累区域重叠；第二电荷积累元件，其邻近于所述第二光电转换元件，其中，所述第二电荷积累元件的至少一部分与所述第二光电转换元件的电荷积累区域重叠，其中，所述第一电荷积累元件和所述第二电荷积累元件通过所述电容量开关选择性地连接到所述电荷‑电压转换元件。
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公开(公告)号：CN103367377A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310104772.5
申请日：2013-03-28
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14812
Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置和电子设备。这里所披露的是固态成像装置，其包括：半导体基体；光敏二极管，形成在半导体基体上，并且用于执行光电转换；像素部，提供有像素，该像素的每一个具有光敏二极管；第一配线，形成为通过接触部电连接到像素部的半导体基体，并且在第一方向上延伸到像素部之外；第二配线，由与第一配线不同的配线层制作，并且形成为在与第一方向不同的第二方向上延伸到像素部之外；以及接触部，用于将第一配线和第二配线彼此电连接。
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公开(公告)号：CN102956656A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210294894.0
申请日：2012-08-17
Applicant: 索尼公司
Inventor： 山下和芳
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/1464
Abstract: 一种能够防止图像质量下降的固体摄像器件和电子设备，所述固体摄像器件包括光接收层和快门层。光接收层具有光电转换部，所述光电转换部以平面状态布置且配置为将接收光转换为电信号。快门层配置为控制待入射至光接收层上的光的透射。在固体摄像器件中，光接收层和快门层之间的间隔小于或等于形成于快门层中的快门元件的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111799285B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010529066.5
申请日：2015-12-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , H01L27/14 , H04N25/70 , H04N25/76 , H04N25/78 , G01S7/4863 , G01S17/89 , G01S17/931
Abstract: 本技术涉及成像装置，包括：光电转换区域；传输晶体管，其连接至所述光电转换区域；浮动扩散区域，其连接至所述传输晶体管；开关晶体管，其连接至所述浮动扩散区域；电容，其被构造成经由所述开关晶体管连接至所述浮动扩散区域；复位晶体管，其连接至所述浮动扩散区域；放大晶体管，其连接至所述浮动扩散区域；和配线层，其包括：第一层，其包括连接至所述开关晶体管的第一配线；第二层，其包括第二配线；和第三层，其包括连接至所述传输晶体管的第三配线。这里，所述电容包括所述第一配线和所述第二配线，所述第一层不同于所述第三层，并且所述浮动扩散区域的触头区域设置于所述开关晶体管与所述复位晶体管之间。本技术适用于CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN110010633B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910110416.1
申请日：2014-06-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 一种成像装置，能够在抑制具有全局快门功能和相位差AF功能的固态成像装置的分辨率降低的同时提高相位差检测的精度。该成像装置包括：第一成像像素，其包括第一光电转换区域和第一电荷积聚区域；第一相位差检测像素，其包括第二光电转换区域和第二电荷积聚区域；及遮光膜，其包括第一遮光部和第二遮光部。所述第一遮光部设置于所述第一电荷积聚区域的光接收表面上方，并且所述第二遮光部设置于所述第一相位差检测像素上方以覆盖所述第二电荷积聚区域的光接收表面和所述第二光电转换区域的光接收表面的一部分。或者该成像装置包括：具有第一成像像素和第一相位差检测像素的像素阵列；第一遮光部；以及第二遮光部。本发明可应用于例如CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN109905617B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910110412.3
申请日：2014-06-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种固态成像装置及其驱动方法、以及一种含有所述固态成像装置的电子设备，它们使得可在抑制具有全局快门功能和相位差AF功能的固态成像装置的分辨率降低的同时提高相位差检测的精度。所述固态成像装置包括成像像素和相位差检测像素，其中，各所述像素包括芯片上透镜、光电转换单元、以及电荷积聚单元，其中，所述成像像素的所述电荷积聚单元被遮光，并且其中，所述相位差检测像素的所述电荷积聚单元的至少一部分避免被遮光。本发明可应用于例如CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN108336102B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810074648.1
申请日：2013-11-07
Applicant: 索尼公司
Inventor： 山下和芳
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L23/5223 , H01L27/00 , H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 一种摄像器件，包括：半导体基板，它包括具有至少第一和第二光电转换元件的多个光电转换元件且包括由所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件共用的电荷‑电压转换元件；第一电荷积累元件，它邻近于所述第一光电转换元件，且它的至少一部分与所述第一光电转换元件的电荷积累区域重叠；以及第二电荷积累元件，它邻近于所述第二光电转换元件，且它的至少一部分与所述第二光电转换元件的电荷积累区域重叠。各个所述光电转换元件都被配置成接收从所述半导体基板的第一表面入射的光，而且，所述第一电荷积累元件和所述第二电荷积累元件被形成在所述半导体基板的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对。本发明能够改善图像质量。
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公开(公告)号：CN106935604B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611254173.1
申请日：2013-03-28
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置和电子设备。这里所披露的是固态成像装置，其包括：半导体基体；光敏二极管，形成在半导体基体上，并且用于执行光电转换；像素部，提供有像素，该像素的每一个具有光敏二极管；第一配线，形成为通过接触部电连接到像素部的半导体基体，并且在第一方向上延伸到像素部之外；第二配线，由与第一配线不同的配线层制作，并且形成为在与第一方向不同的第二方向上延伸到像素部之外；以及接触部，用于将第一配线和第二配线彼此电连接。
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