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公开(公告)号：CN102157462B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110025048.4
申请日：2011-01-21
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B81B7/0051 , B81C2203/0118 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/2732 , H01L2224/27618 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明有关于一种晶片封装体及其制造方法，晶片封装体包括具有晶粒的半导体基底、设置于半导体基底之上的封装层以及设置于半导体基底与封装层之间的间隔层，其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成的表面具有凹陷部。晶片封装体的制造方法包括在半导体晶圆的多个晶粒与封装层之间形成多个间隔层，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部，以及沿着相邻两个晶粒之间的切割道分割半导体晶圆，以形成多个晶片封装体。本发明能够避免晶片封装体产生脱层现象，从而可有效避免水气及空气进入晶片封装体中，以提升晶片封装体的可靠度、避免元件发生电性不良。
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公开(公告)号：CN102157462A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110025048.4
申请日：2011-01-21
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B81B7/0051 , B81C2203/0118 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/2732 , H01L2224/27618 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明有关于一种晶片封装体及其制造方法，晶片封装体包括具有晶粒的半导体基底、设置于半导体基底之上的封装层以及设置于半导体基底与封装层之间的间隔层，其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成的表面具有凹陷部。晶片封装体的制造方法包括在半导体晶圆的多个晶粒与封装层之间形成多个间隔层，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部，以及沿着相邻两个晶粒之间的切割道分割半导体晶圆，以形成多个晶片封装体。本发明能够避免晶片封装体产生脱层现象，从而可有效避免水气及空气进入晶片封装体中，以提升晶片封装体的可靠度、避免元件发生电性不良。
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公开(公告)号：CN101355043B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810108634.3
申请日：2008-05-30
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/308 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，包括：提供一晶圆，包含多个晶粒区，以承载或形成多个晶片，所述晶片上或上方包括多个导电电极；提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于晶圆上，图案化光致抗蚀剂层包括多个开口，其中所述开口对应光罩的图案，该图案包括一相对较宽的第一构图，该第一构图并连结至少一个相对较窄的第二构图；以图案化光致抗蚀剂层为罩幕，对晶圆进行蚀刻，形成多个孔洞以露出所述导电电极，其中所述孔洞具有非对称性的侧壁；及移除图案化光致抗蚀剂层。本发明可通过一次性的连续蚀刻步骤，制作具有非对称性侧壁的孔洞，进而缩短制作流程及降低制作成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157492A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110020991.6
申请日：2011-01-13
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/481 , H01L21/76897 , H01L23/3178 , H01L23/3192 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/20 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种晶片封装体，晶片封装体包括半导体基底，具有第一表面和相对的第二表面。间隔层设置在半导体基底的第二表面下方，并且盖板设置在间隔层下方。形成凹陷部邻接半导体基底的侧壁，由半导体基底的第一表面至少延伸至间隔层。然后，保护层设置在半导体基底的第一表面之上以及凹陷部内。本发明可提升晶片封装体的信赖性，并避免导线层产生脱层现象。
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公开(公告)号：CN104701285A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510063568.2
申请日：2011-01-13
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/481 , H01L21/76897 , H01L23/3178 , H01L23/3192 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/20 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，晶片封装体包括半导体基底，具有第一表面和相对的第二表面。间隔层设置在半导体基底的第二表面下方，并且盖板设置在间隔层下方。形成凹陷部邻接半导体基底的侧壁，由半导体基底的第一表面至少延伸至间隔层。然后，保护层设置在半导体基底的第一表面之上以及凹陷部内。本发明可提升晶片封装体的信赖性，并避免导线层产生脱层现象。
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公开(公告)号：CN101355043A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810108634.3
申请日：2008-05-30
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/308 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，包括：提供一晶圆，包含多个晶粒区，以承载或形成多个晶片，所述晶片上或上方包括多个导电电极；提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于晶圆上，图案化光致抗蚀剂层包括多个开口，其中所述开口对应光罩的图案，该图案包括一相对较宽的第一构图，该第一构图并连结至少一个相对较窄的第二构图；以图案化光致抗蚀剂层为罩幕，对晶圆进行蚀刻，形成多个孔洞以露出所述导电电极，其中所述孔洞具有非对称性的侧壁；及移除图案化光致抗蚀剂层。本发明可通过一次性的连续蚀刻步骤，制作具有非对称性侧壁的孔洞，进而缩短制作流程及降低制作成本。
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公开(公告)号：CN104701285B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510063568.2
申请日：2011-01-13
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/481 , H01L21/76897 , H01L23/3178 , H01L23/3192 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/20 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种晶片封装体，晶片封装体包括半导体基底，具有第一表面和相对的第二表面。间隔层设置在半导体基底的第二表面下方，并且盖板设置在间隔层下方。形成凹陷部邻接半导体基底的侧壁，由半导体基底的第一表面至少延伸至间隔层。然后，保护层设置在半导体基底的第一表面之上以及凹陷部内。本发明可提升晶片封装体的信赖性，并避免导线层产生脱层现象。
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公开(公告)号：CN102157492B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110020991.6
申请日：2011-01-13
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/481 , H01L21/76897 , H01L23/3178 , H01L23/3192 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/20 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种晶片封装体，晶片封装体包括半导体基底，具有第一表面和相对的第二表面。间隔层设置在半导体基底的第二表面下方，并且盖板设置在间隔层下方。形成凹陷部邻接半导体基底的侧壁，由半导体基底的第一表面至少延伸至间隔层。然后，保护层设置在半导体基底的第一表面之上以及凹陷部内。本发明可提升晶片封装体的信赖性，并避免导线层产生脱层现象。
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