Invention Publication
- Patent Title: 半导体器件
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE
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Application No.: CN201810312732.2Application Date: 2018-04-09
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Publication No.: CN108695264APublication Date: 2018-10-23
- Inventor: 坂田贤治 , 秋叶俊彦 , 船矢琢央 , 土屋秀昭 , 吉田裕一
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 李辉; 董典红
- Priority: 2017-077264 20170410 JP 2017-136892 20170713 JP
- Main IPC: H01L23/13
- IPC: H01L23/13 ; H01L23/488

Abstract:
本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。
Public/Granted literature
- CN108695264B 半导体器件 Public/Granted day:2023-08-25
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IPC分类: