公开(公告)号：CN209447791U

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201822118119.5

申请日：2018-12-17

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 萱岛祐治

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

摘要： 本公开涉及电子器件和电子设备，用于改进电子器件的特性。该电子器件包括形成在密封体的上表面US之上的第一再分布层和形成在密封体的底表面之下的第二再分布层。第二再分布层的厚度小于第一再分布层的厚度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207542239U

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201720726572.7

申请日：2017-06-21

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 松本雅弘 ,  矢岛明 ,  前川和义

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本实用新型提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。

公开(公告)号：CN207503955U

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201721401780.6

申请日：2017-10-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 板东晃司

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2023/4087 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

摘要： 本实用新型提供电子装置，课题为提高其性能。电子装置(EA1)具有：基板(CS1)，具有供半导体芯片搭载的上表面(表面)(CSt)和上表面相反侧的下表面(背面)(CSb)；框体(壳体)(HS)，经由粘接材料(BD1)固定于基板。框体具有在X方向上分别形成于一个短边侧和另一短边侧的贯通孔。基板配置于上述贯通孔之间。基板的上表面的一部分以与层差面的一部分相对的方式被固定，层差面形成于框体的与下表面(HSb)不同的高度。此外，层差面中沿着框体短边延伸的部分即层差面(Hf6)与基板的上表面之间的间隔(距离D1)比层差面中沿着框体长边延伸的部分即层差面(Hf5)与基板的上表面之间的间隔(距离D3)大。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205566274U

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201620137005.3

申请日：2016-02-24

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 松野典朗

IPC分类号： H04B1/38 ,  H04B1/3827

CPC分类号： H04B1/0458 ,  H04B1/0475

摘要： 本公开涉及半导体装置。该半导体装置包括：发射电路，将发射数据转换为具有指定频率的发射信号；放大器，放大所述发射信号的功率；匹配电路，将所述发射信号从平衡信号转换为不平衡信号；以及滤波电路，限制所述发射信号的频带，其中所述匹配电路包括初级电感器和次级电感器，所述滤波电路包括用于滤波器的电感器，以及所述初级电感器、所述次级电感器和所述用于滤波器的电感器在一个平面上基本上同心地卷绕。

公开(公告)号：CN205069623U

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201520754095.6

申请日：2015-09-25

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 武藤晃 ,  板东晃司 ,  佐藤幸弘 ,  御田村和宏

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L23/49575 ,  B60L3/003 ,  B60L15/007 ,  B60L50/51 ,  B60L2220/12 ,  B60L2240/525 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49565 ,  H01L23/544 ,  H01L23/564 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40998 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/77704 ,  H01L2224/78704 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84136 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/84862 ,  H01L2224/8585 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/7005 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

摘要： 一种半导体器件，提高半导体器件的可靠性。在引线框架(LF)设有一对悬吊部(HL)，并且夹具(CLP)由主体部(BDU)和一对延伸部(EXU)构成，以此为前提，一对延伸部(EXU)搭载于一对悬吊部(HL)上而被支承。由此，夹具(CLP)被搭载于引线(LD1)上(1点)和一对悬吊部(HL)上(2点)，夹具(CLP)被这些部件3点支承。

公开(公告)号：CN205039141U

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201520764326.1

申请日：2015-09-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 佐藤幸弘 ,  舩津胜彦 ,  金泽孝光 ,  小井土雅宽 ,  田谷博美

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/049 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/09 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0905 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/219 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本实用新型提供一种半导体器件，抑制半导体器件的可靠性降低。半导体器件具有形成于陶瓷衬底(CS1)上的多个金属图案(MP)以及搭载于多个金属图案(MP)的多个半导体芯片。另外，多个金属图案(MP)具有相互相对的金属图案(MPH)和金属图案(MPU)。另外，设置于金属图案(MPH)与金属图案(MPU)之间且从多个金属图案(MP)暴露的区域(EX1)沿着金属图案(MPH)的延伸方向以锯齿状延伸。

公开(公告)号：CN204204847U

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201420482097.X

申请日：2014-08-25

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 松井孝二郎 ,  阪本雄彦 ,  梅津和之 ,  宇野友彰

IPC分类号： H01L23/528

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19105 ,  H03K17/687 ,  H01L2924/00

摘要： 本实用新型涉及半导体器件。提高半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)的主面的LDMOSFET形成区域(LR)形成有相互并联连接而构成功率MISFET的多个单位MISFET元件。在半导体衬底(SB)的主面的驱动电路区域(DR)还形成有控制功率MISFET的栅极电压的控制电路。在半导体衬底(SB)上还形成有具有由同种金属材料构成的多个布线层的布线结构。形成于LDMOSFET形成区域(LR)的多个单位MISFET元件的栅电极(GE)彼此之间经由极布线(M1G、M2G、M3G)而相互电连接，所述极布线分别形成在由同种金属材料构成的多个布线层的全部布线层上。

公开(公告)号：CN203481259U

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201320560425.9

申请日：2013-09-10

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 御田村和宏 ,  森林茂 ,  柳沼隆太

IPC分类号： H01L31/12

CPC分类号： H04B10/802

摘要： 一种光耦合器，解决了现有的光耦合器不能兼顾CMR特性以及CTR特性且制造成本高的问题。本实用新型的光耦合器包括：输入侧引线框；输出侧引线框，与所述输入侧引线框相对且隔着间隔而配置；发光元件，安装在所述输入侧引线框中的所述输出侧引线框侧的面；受光元件，在所述输出侧引线框中的所述输入侧引线框侧的面，与所述发光元件相对且隔着间隔而安装；以及突起物，配置在所述输出侧引线框中的所述受光元件的周围的区域的至少一部分中，且由向所述输入侧引线框侧突出的导电性的接合线或者凸部构成。

公开(公告)号：CN203481223U

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201320300992.0

申请日：2013-05-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 铃木和贵 ,  是成贵弘

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01M10/425 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本实用新型涉及半导体器件。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本实用新型的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。

公开(公告)号：CN203398105U

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201320163013.1

申请日：2013-03-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 森凉 ,  福冈一树 ,  森野直纯 ,  出口善宣

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/768 ,  H01L22/32 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件，包括：衬底，包括其中形成电路元件的电路区域；在衬底上形成的并且由层叠的多个布线层和多个过孔层组成的多层布线层；以及在多层布线层上形成的电极焊盘。在作为多个布线层中的顶层的第一布线层的区域中形成层间绝缘膜，在该区域中，电极焊盘和第一电路区域在电极焊盘的平面视图中相互重叠。