半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105679728A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201510876267.1

    申请日:2015-12-03

    Abstract: 本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的放热特性。例如,半导体装置(PKG1)具有与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第2部分(P2)连接的引线(LD1A(P2))以及与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第3部分(P3)连接的引线(LD1A(P3))。并且,引线(LD1A(P2))与引线(LD1A(P3))分别具有从密封体(MR)突出的突出部分。由此,能够提高半导体装置(PKG1)的放热特性。

    光耦合器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103681941A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310409747.8

    申请日:2013-09-10

    CPC classification number: H04B10/802

    Abstract: 一种光耦合器,解决了现有的光耦合器不能兼顾CMR特性以及CTR特性且制造成本高的问题。本发明的光耦合器包括:输入侧引线框;输出侧引线框,与所述输入侧引线框相对且隔着间隔而配置;发光元件,安装在所述输入侧引线框中的所述输出侧引线框侧的面;受光元件,在所述输出侧引线框中的所述输入侧引线框侧的面,与所述发光元件相对且隔着间隔而安装;以及突起物,配置在所述输出侧引线框中的所述受光元件的周围的区域的至少一部分中,且由向所述输入侧引线框侧突出的导电性的接合线或者凸部构成。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN105470224B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201510623157.4

    申请日:2015-09-25

    Abstract: 半导体器件及其制造方法,提高半导体器件的可靠性。在引线框架(LF)设有一对悬吊部(HL),并且夹具(CLP)由主体部(BDU)和一对延伸部(EXU)构成,以此为前提,一对延伸部(EXU)搭载于一对悬吊部(HL)上而被支承。由此,夹具(CLP)被搭载于引线(LD1)上(1点)和一对悬吊部(HL)上(2点),夹具(CLP)被这些部件3点支承。

    光耦合器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103681941B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310409747.8

    申请日:2013-09-10

    CPC classification number: H04B10/802

    Abstract: 一种光耦合器,解决了现有的光耦合器不能兼顾CMR特性以及CTR特性且制造成本高的问题。本发明的光耦合器包括:输入侧引线框;输出侧引线框,与所述输入侧引线框相对且隔着间隔而配置;发光元件,安装在所述输入侧引线框中的所述输出侧引线框侧的面;受光元件,在所述输出侧引线框中的所述输入侧引线框侧的面,与所述发光元件相对且隔着间隔而安装;以及突起物,配置在所述输出侧引线框中的所述受光元件的周围的区域的至少一部分中,且由向所述输入侧引线框侧突出的导电性的接合线或者凸部构成。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN105470224A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510623157.4

    申请日:2015-09-25

    Abstract: 半导体器件及其制造方法,提高半导体器件的可靠性。在引线框架(LF)设有一对悬吊部(HL),并且夹具(CLP)由主体部(BDU)和一对延伸部(EXU)构成,以此为前提,一对延伸部(EXU)搭载于一对悬吊部(HL)上而被支承。由此,夹具(CLP)被搭载于引线(LD1)上(1点)和一对悬吊部(HL)上(2点),夹具(CLP)被这些部件3点支承。

    半导体器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115732460A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202210833073.3

    申请日:2022-07-14

    Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。一种布线衬底包括:第一绝缘层;形成在第一绝缘层上的接地平面;第二绝缘层,形成在第一绝缘层上,使得接地平面被第二绝缘层覆盖;形成在第二绝缘层上的第一信号布线;第三绝缘层,形成在第二绝缘层上,使得第一信号布线被第三绝缘层覆盖;以及第二信号布线,形成在第三绝缘层上并且与第一信号布线电连接。第一信号布线布置在与散热板的部分重叠的区域中。第二信号布线未布置在该区域中。接地平面具有位于与第一信号布线重叠的位置处的开口部分。开口部分形成为沿着第一信号布线延伸。

    半导体装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105679728B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201510876267.1

    申请日:2015-12-03

    Abstract: 本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的放热特性。例如,半导体装置(PKG1)具有与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第2部分(P2)连接的引线(LD1A(P2))以及与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第3部分(P3)连接的引线(LD1A(P3))。并且,引线(LD1A(P2))与引线(LD1A(P3))分别具有从密封体(MR)突出的突出部分。由此,能够提高半导体装置(PKG1)的放热特性。

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