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公开(公告)号：CN109428569B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201810980802.1
申请日：2018-08-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 需要提供一种能够精确地监视用于监视目标电路的最小操作电压的半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法。根据一个实施例的半导体系统的监视器部分包括电压监视器和延迟监视器。电压监视器由与供给到作为监视目标电路的内部电路的电源电压VDD不同的电源电压SVCC驱动，并监视电源电压VDD。延迟监视器由电源电压VDD驱动，并监视内部电路中关键路径的信号传播时间。延迟监视器被配置为使得配置延迟监视器的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻小于配置内部电路的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻。
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公开(公告)号：CN107888172B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201710852792.9
申请日：2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/22 , H03K3/011 , H03K3/03 , G01R19/165
Abstract: 本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例，半导体系统的监测器单元包括：电压监测器，该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动，并监测第一电源电压；以及延迟监测器，该延迟监测器由第一电源电压驱动，并监测内部电路中的关键路径的信号传播时间段。
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公开(公告)号：CN105390481A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510531518.2
申请日：2015-08-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/00
Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件。提供了一种能够在防止存储器的功能恶化的同时控制存储器并且减少半导体器件的功耗的半导体器件。半导体器件包括第一半导体芯片(逻辑芯片)和第二半导体芯片(存储器芯片)。第一半导体芯片包括：多个温度传感器，设置在彼此不同的位置中；以及存储器控制器，基于该多个温度传感器中的相应的一个温度传感器的输出结果，来控制设置在第二半导体芯片中的多个存储器区域中的每一个。
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公开(公告)号：CN101739117B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200910222437.9
申请日：2009-11-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: H03K19/0016 , G06F1/3203 , G06F1/3287 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L2224/48091 , H01L2924/13091 , Y02D10/171 , Y02D50/20 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。本发明涉及在无需大大增加低功率消耗结构中的电路布局面积的情况下执行精细低电压控制。在将一区域转变到低速模式的情况中，系统控制器分别将请求信号和使能信号输出到功率开关控制器和低功率驱动电路，以关断功率开关并且执行控制使得虚拟参考电势的电压电平变成约0.2V至约0.3V。该区域在电源电压与虚拟参考电势之间的电压下操作，从而将它控制在低速模式中。
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公开(公告)号：CN113726125A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110565752.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：多个核心，其被配置为从电源接收功率；多个电源开关电路，针对每个核心而设置并且被配置为控制被供应给对应核心的功率；比较电路，被配置为从电源接收功率并且比较多个核心的输出数据；以及核心电压监测电路，被配置为监测连接电源和比较电路的节点的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109428569A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810980802.1
申请日：2018-08-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 需要提供一种能够精确地监视用于监视目标电路的最小操作电压的半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法。根据一个实施例的半导体系统的监视器部分包括电压监视器和延迟监视器。电压监视器由与供给到作为监视目标电路的内部电路的电源电压VDD不同的电源电压SVCC驱动，并监视电源电压VDD。延迟监视器由电源电压VDD驱动，并监视内部电路中关键路径的信号传播时间。延迟监视器被配置为使得配置延迟监视器的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻小于配置内部电路的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻。
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公开(公告)号：CN103367295A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310115230.8
申请日：2013-03-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/02697 , H01L21/768 , H01L22/32 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/5286 , H01L23/5384 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括其中形成电路元件的电路区域；在衬底上形成的并且由层叠的多个布线层和多个过孔层组成的多层布线层；以及在多层布线层上形成的电极焊盘。在作为多个布线层中的顶层的第一布线层的区域中形成层间绝缘膜，在该区域中，电极焊盘和第一电路区域在电极焊盘的平面视图中相互重叠。
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公开(公告)号：CN106547637B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201610708757.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了可跟随在快速负载波动时出现的诸如大压降的快速电压改变的半导体器件。该半导体器件包括：电压传感器，其以比假设的电源电压波动的频率高的取样速度来监测电源电压并且输出电压代码值；压降确定电路，其从所述电压代码值来确定出现致使系统故障的压降，并且输出时钟停止信号；以及时钟控制电路，其控制时钟停止、重启和频率改变。
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公开(公告)号：CN107888172A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710852792.9
申请日：2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/22 , H03K3/011 , H03K3/03 , G01R19/165
CPC classification number: G01R19/16552 , G01R31/2851 , G01R31/31703 , G01R31/3177 , G01R31/318328 , G01R31/31932 , G01R31/31937 , G06F1/24 , G06F1/28 , H03K3/0315 , H03K5/133 , H03K17/22 , G01R19/16576 , H03K3/011 , H03K2217/0027
Abstract: 本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例，半导体系统的监测器单元包括：电压监测器，该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动，并监测第一电源电压；以及延迟监测器，该延迟监测器由第一电源电压驱动，并监测内部电路中的关键路径的信号传播时间段。
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公开(公告)号：CN106547637A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610708757.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G06F1/305 , G06F1/10 , G06F1/32 , G06F1/3237
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了可跟随在快速负载波动时出现的诸如大压降的快速电压改变的半导体器件。该半导体器件包括：电压传感器，其以比假设的电源电压波动的频率高的取样速度来监测电源电压并且输出电压代码值；压降确定电路，其从所述电压代码值来确定出现致使系统故障的压降，并且输出时钟停止信号；以及时钟控制电路，其控制时钟停止、重启和频率改变。
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