-
公开(公告)号：CN107888172B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201710852792.9
申请日：2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/22 , H03K3/011 , H03K3/03 , G01R19/165
Abstract: 本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例，半导体系统的监测器单元包括：电压监测器，该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动，并监测第一电源电压；以及延迟监测器，该延迟监测器由第一电源电压驱动，并监测内部电路中的关键路径的信号传播时间段。
-
公开(公告)号：CN106482866B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610676718.1
申请日：2016-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路和电子控制单元。为了提供一种能够预测归因于时效劣化的其自身寿命(磨损故障)和通知警告的半导体集成电路，它包括形成在相同半导体衬底上的处理器、温度传感器、非易失性存储器和比较器。比较器将由温度传感器测得的温度与预定温度阈值进行比较，且非易失性存储器累积地保持关于温度超出温度阈值时的时段的信息(累积时间)。当温度超出温度阈值时的累积时间超出预定高温时间阈值时，半导体集成电路向外界通知警告。
-
公开(公告)号：CN106482866A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610676718.1
申请日：2016-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路和电子控制单元。为了提供一种能够预测归因于时效劣化的其自身寿命(磨损故障)和通知警告的半导体集成电路，它包括形成在相同半导体衬底上的处理器、温度传感器、非易失性存储器和比较器。比较器将由温度传感器测得的温度与预定温度阈值进行比较，且非易失性存储器累积地保持关于温度超出温度阈值时的时段的信息(累积时间)。当温度超出温度阈值时的累积时间超出预定高温时间阈值时，半导体集成电路向外界通知警告。
-
公开(公告)号：CN107888172A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710852792.9
申请日：2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/22 , H03K3/011 , H03K3/03 , G01R19/165
CPC classification number: G01R19/16552 , G01R31/2851 , G01R31/31703 , G01R31/3177 , G01R31/318328 , G01R31/31932 , G01R31/31937 , G06F1/24 , G06F1/28 , H03K3/0315 , H03K5/133 , H03K17/22 , G01R19/16576 , H03K3/011 , H03K2217/0027
Abstract: 本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例，半导体系统的监测器单元包括：电压监测器，该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动，并监测第一电源电压；以及延迟监测器，该延迟监测器由第一电源电压驱动，并监测内部电路中的关键路径的信号传播时间段。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.013 seconds)
