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公开(公告)号：CN103080864A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201080068922.6
申请日：2010-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G06F1/3287 , G05F1/56 , G06F1/32 , G06F1/3203 , G06F1/3206 , G06F1/3237 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , G11C5/147 , Y02D10/126 , Y02D10/128 , Y02D10/172 , Y02D50/20
Abstract: 降压部(50)将外部电源电压(Vcc)降压。偏置电流控制电路(41)控制在连接输出节点(N4)与地线(GND)的辅助路径(RT)中流动的偏置电流的大小。系统控制器(SYSC)，在包括中央处理装置(CPU)的负载电路(99)中所消耗的电流量变化相对较大的工作状态变化之前，使偏置电流的大小增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102176454A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110091341.0
申请日：2008-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L23/485
CPC classification number: G11C5/145 , G11C5/025 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2924/01015 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排，以便将芯区域分成多个功能块，并且能针对各划分功能块供给电源，而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行，在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。
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公开(公告)号：CN101276811B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810009410.7
申请日：2008-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L23/485
CPC classification number: G11C5/145 , G11C5/025 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2924/01015 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排，以便将芯区域分成多个功能块，并且能针对各划分功能块供给电源，而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行，在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。
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公开(公告)号：CN103080864B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080068922.6
申请日：2010-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G06F1/3287 , G05F1/56 , G06F1/32 , G06F1/3203 , G06F1/3206 , G06F1/3237 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , G11C5/147 , Y02D10/126 , Y02D10/128 , Y02D10/172 , Y02D50/20
Abstract: 降压部(50)将外部电源电压(Vcc)降压。偏置电流控制电路(41)控制在连接输出节点(N4)与地线(GND)的辅助路径(RT)中流动的偏置电流的大小。系统控制器(SYSC)，在包括中央处理装置(CPU)的负载电路(99)中所消耗的电流量变化相对较大的工作状态变化之前，使偏置电流的大小增加。
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公开(公告)号：CN101739117B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200910222437.9
申请日：2009-11-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: H03K19/0016 , G06F1/3203 , G06F1/3287 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L2224/48091 , H01L2924/13091 , Y02D10/171 , Y02D50/20 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。本发明涉及在无需大大增加低功率消耗结构中的电路布局面积的情况下执行精细低电压控制。在将一区域转变到低速模式的情况中，系统控制器分别将请求信号和使能信号输出到功率开关控制器和低功率驱动电路，以关断功率开关并且执行控制使得虚拟参考电势的电压电平变成约0.2V至约0.3V。该区域在电源电压与虚拟参考电势之间的电压下操作，从而将它控制在低速模式中。
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公开(公告)号：CN102176454B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110091341.0
申请日：2008-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L23/485
CPC classification number: G11C5/145 , G11C5/025 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2924/01015 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排，以便将芯区域分成多个功能块，并且能针对各划分功能块供给电源，而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行，在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。
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