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公开(公告)号：CN104241207B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201410260734.3
申请日：2014-06-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 一种半导体及其制造方法，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。
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公开(公告)号：CN103456690B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201310205688.2
申请日：2013-05-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8232 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本发明的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241207A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410260734.3
申请日：2014-06-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 一种半导体及其制造方法，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。
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公开(公告)号：CN108461447A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201711443872.5
申请日：2013-05-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/088
CPC classification number: H01M10/425 , H01L21/823418 , H01L21/823487 , H01L23/3114 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/66477 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件包括具有背表面和在平面图中为矩形的前表面的半导体衬底；第一MOSFET，具有第一栅电极、第一源极区和第一漏极区；第二MOSFET，具有第二栅电极、第二源极区和第二漏极区；前表面上方的耦合到第一源极区的第一源电极；前表面上方的耦合到第二源极区的第二源电极；前表面上方的耦合到第一栅电极的第一栅极线；前表面上方的耦合到第二栅电极的第二栅极线；背表面上方的耦合到第一漏极区和第二漏极区的公共漏电极，第一源电极在前表面的第一边、第二边、第三边和第四边处，平面图中，第二源电极被第一源电极围绕，第一源电极与第一MOSFET重叠，第二源电极与第二MOSFET重叠。
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公开(公告)号：CN105932009A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610011407.3
申请日：2016-01-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02J7/0026 , H01L21/823487 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H01M10/44 , H02J7/0031 , H03K2217/0054 , H01L2924/00014 , H01L23/52 , H01L23/12 , H02J7/00
Abstract: 本发明涉及半导体芯片、半导体装置和电池组，提供了高通用性的半导体产品。共用漏极衬垫连同放电和充电功率晶体管的源极衬垫和栅极衬垫一起形成于半导体芯片的表面之上。因而，当半导体芯片正面朝下地安装于布线板之上时，不仅是放电和充电功率晶体管的源极衬垫和栅极衬垫，还有共用漏极衬垫也会与布线板的布线电耦接。
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公开(公告)号：CN103456690A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310205688.2
申请日：2013-05-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8232 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本发明的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。
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公开(公告)号：CN203481223U
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201320300992.0
申请日：2013-05-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01M10/425 , H01L21/823418 , H01L21/823487 , H01L23/3114 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/66477 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本实用新型的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。
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