公开(公告)号：CN106935558A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611234243.7

申请日：2016-12-28

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 龙顺文 ,  邱国峻 ,  郭孟翰 ,  黄铭杰 ,  林锡坚 ,  陈智纲 ,  陈义彬

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14698 ,  H01L2224/11 ,  H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/485

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一晶片、一绝缘层以及一导电层。晶片具有一基底、一磊晶层、一元件区与一导电垫，其中磊晶层位于基底上，元件区位于磊晶层上，而导电垫位于元件区的一侧并连接至元件区，且导电垫凸出于磊晶层的一侧面。绝缘层位于基底下并延伸覆盖磊晶层的侧面，而导电层，位于绝缘层下并延伸接触导电垫，且导电层与磊晶层的侧面相隔一第一距离。本发明不仅使得电流无法自磊晶层进入/导出导电层而造成短路，还简化了制程步骤与成本，且对于微小化设计有所助益。

公开(公告)号：CN103325740B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310095231.0

申请日：2013-03-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/562 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶圆堆栈结构及方法，该晶圆堆栈结构包括：基板、设于该基板上且其表面具有凸部的坝块、以及设于该坝块上且具有凹处的晶圆。通过该坝块表面上的凸部嵌卡至该晶圆的凹处，能避免该晶圆的凹处与该坝块之间产生气室，所以在晶圆堆栈结构进行后续封装制程时，该晶圆不致因气室存在而与坝块分离。

公开(公告)号：CN103165545B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210555392.9

申请日：2012-12-19

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘国华 ,  张义民 ,  林锡坚

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/10 ,  H01L23/48 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该基底之中或设置于该基底之上；一介电层，设置于该基底的该第一表面上；一导电垫，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一平坦层，设置于该介电层之上，其中该平坦层与该导电垫的上表面之间的一垂直距离大于约2微米；一透明基板，设置于该基底的该第一表面上；一第一间隔层，设置于该透明基板与该平坦层之间；及一第二间隔层，设置于该透明基板与该基底之间，且延伸进入该介电层的一开口而接触该导电垫，其中该第二间隔层与该导电垫之间大抵无间隙。本发明使得透明基板稳固地接合于基底之上，且在后续切割制程不会损坏晶片封装体。

公开(公告)号：CN106169454A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610333169.8

申请日：2016-05-19

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 郭怡茵 ,  黄铭杰 ,  林锡坚

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L31/02002 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/186 ,  H01L2224/11 ,  H01L24/10 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/8119

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含：晶片、绝缘层、流动材料绝缘层以及导电层。晶片具有导电垫、侧面以及相对的第一表面与第二表面，侧面位于第一表面与第二表面之间，导电垫位于第一表面下，并凸出于侧面。绝缘层覆盖第二表面与侧面，而流动材料绝缘层位于绝缘层下，并具有缺口暴露凸出于侧面的导电垫。导电层位于流动材料绝缘层下，并延伸至缺口中接触导电垫。本发明能够提升晶片封装体内部线路间的绝缘性。

公开(公告)号：CN103199065B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201310009469.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林柏伸 ,  许传进 ,  陈秉翔 ,  江承翰 ,  陈键辉 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00888 ,  H01L21/561 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将相堆栈的基板与晶圆进行切割制程，主要通过在切割处上先移除部分晶圆材质，以在该晶圆的芯片边缘形成应力集中处，再进行切割，使应力被迫集中在该晶圆的芯片边缘，而令该芯片的边缘翘曲。因此，可避免该应力延伸至该芯片的内部。

公开(公告)号：CN102651350B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201210044614.0

申请日：2012-02-24

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈世明 ,  林锡坚 ,  黄玉龙 ,  刘沧宇

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一元件区以及一与元件区相邻的非元件区；一封装层，设置于半导体基底之上；一间隔层，设置于半导体基底与封装层之间，且围绕元件区与非元件区；一环状结构，设置于半导体基底之上以及封装层之下，并位于间隔层与元件区之间，且围绕一部分的非元件区；以及一辅助图案，包含设置于间隔层或环状结构中的中空图案、或设置于间隔层与元件区之间的实体图案、或前述的组合。本发明能够增加晶片封装体的可靠度。

公开(公告)号：CN107010591A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610848544.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 赖谕蓁 ,  郭孟翰 ,  黄铭杰 ,  林锡坚

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L27/146 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/0041 ,  B81C1/00293

Abstract: 一种电子装置及其制造方法，该电子装置包含影像感测器与微机电装置。影像感测器具有装置层。微机电装置位于影像感测器上。微机电装置包含微机电元件、盖体元件与覆盖层。微机电元件位于装置层上，使得第一空腔形成于微机电元件与影像感测器之间。微机电元件具有多个镂空区。盖体元件位于微机电元件背对装置层的表面上，使得第二空腔形成于盖体元件与微机电元件之间。盖体元件具有连通第二空腔的开口。第一空腔与第二空腔通过镂空区连通。覆盖层位于盖体元件背对微机电元件的表面上与盖体元件的开口中。本发明能够提升电子装置的效能。

公开(公告)号：CN103165545A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210555392.9

申请日：2012-12-19

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘国华 ,  张义民 ,  林锡坚

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/10 ,  H01L23/48 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该基底之中或设置于该基底之上；一介电层，设置于该基底的该第一表面上；一导电垫，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一平坦层，设置于该介电层之上，其中该平坦层与该导电垫的上表面之间的一垂直距离大于约2微米；一透明基板，设置于该基底的该第一表面上；一第一间隔层，设置于该透明基板与该平坦层之间；及一第二间隔层，设置于该透明基板与该基底之间，且延伸进入该介电层的一开口而接触该导电垫，其中该第二间隔层与该导电垫之间大抵无间隙。本发明使得透明基板稳固地接合于基底之上，且在后续切割制程不会损坏晶片封装体。

公开(公告)号：CN107591375A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710547295.8

申请日：2017-07-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林锡坚 ,  陈智伟 ,  谢俊池 ,  陈岳廷

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/02 ,  G06K9/00013 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14685 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08221 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19

Abstract: 一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体包含晶片、第一绝缘层、重布线层与钝化层。晶片具有感应器、至少一焊垫、相对的顶面与底面、及邻接顶面与底面的侧壁。感应器位于顶面。焊垫位于顶面的边缘。第一绝缘层位于晶片的底面与侧壁上。重布线层位于第一绝缘层上，且重布线层电性接触焊垫的侧面。重布线层至少部分凸出于焊垫而裸露。钝化层位于第一绝缘层与重布线层上，使未凸出焊垫的重布线层位于钝化层与第一绝缘层之间，而凸出焊垫的重布线层位于钝化层上。晶片封装体的感应器因无间隔件覆盖，可提升晶片封装体的感测能力。

公开(公告)号：CN106373971A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610567538.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈莹真 ,  廖健良 ,  黄铭杰 ,  陈智伟 ,  林锡坚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0605 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提出一种晶片尺寸等级的感测晶片封装体以及其制造方法，通过导入一暂时性载板，使得一厚度较薄的盖板晶圆可以覆盖于感测晶圆上，待晶圆级封装制程完成后，便可剥离该暂时性载板，使得所获得的晶片尺寸等级的感测晶片上的盖板变薄，故可增加晶片尺寸等级的感测晶片封装体的灵敏性。