公开(公告)号：CN100562996C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200710085044.9

申请日：2007-02-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 牛保刚 ,  曹佩华 ,  蔡豪益 ,  萧永宽 ,  王忠裕 ,  侯上勇 ,  林裕庭

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/8119 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本发明提供一种半导体封装结构，包括：一封装基板，其具有一表面，用以接受一半导体芯片，该半导体芯片面对面连接至该封装基板，该表面上具有以多个接触垫构成的一图案，其中，各接触垫用以接受该半导体芯片的一焊接凸块，该图案包括一中央区、一外部区以及一过渡区，其中，该外部区围绕该中央区，该过渡区在该中央区及该外部区之间，且该过渡区的图案密度小于该中央区及该外部区的图案密度，其中该外部区包括多个外部列，该过渡区包括由所述接触垫排列成的至少一过渡列。本发明的半导体封装结构可使助焊剂的清洁处理更有效率且更完全，且可避免焊接凸块周围的底部填胶材料剥离，进而增加芯片倒装焊封装处理的可靠度。

公开(公告)号：CN101118889A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710085044.9

申请日：2007-02-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 牛保刚 ,  曹佩华 ,  蔡豪益 ,  萧永宽 ,  王忠裕 ,  侯上勇 ,  林裕庭

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/8119 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本发明提供一种半导体封装结构，包括：一封装基板，其具有一表面，用以接受一半导体芯片，该半导体芯片面对面连接至该封装基板，该表面上具有以多个接触垫构成的一图案，其中，各接触垫用以接受该半导体芯片的一焊接凸块，该图案包括一中央区、一外部区以及一过渡区，其中，该外部区围绕该中央区，该过渡区在该中央区及该外部区之间，且该过渡区的图案密度小于该中央区及该外部区的图案密度。本发明的半导体封装结构可使助焊剂的清洁处理更有效率且更完全，且可避免焊接凸块周围的底部填胶材料剥离，进而增加芯片倒装焊封装处理的可靠度。

公开(公告)号：CN106169454A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610333169.8

申请日：2016-05-19

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 郭怡茵 ,  黄铭杰 ,  林锡坚

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L31/02002 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/186 ,  H01L2224/11 ,  H01L24/10 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/8119

摘要： 一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含：晶片、绝缘层、流动材料绝缘层以及导电层。晶片具有导电垫、侧面以及相对的第一表面与第二表面，侧面位于第一表面与第二表面之间，导电垫位于第一表面下，并凸出于侧面。绝缘层覆盖第二表面与侧面，而流动材料绝缘层位于绝缘层下，并具有缺口暴露凸出于侧面的导电垫。导电层位于流动材料绝缘层下，并延伸至缺口中接触导电垫。本发明能够提升晶片封装体内部线路间的绝缘性。

公开(公告)号：CN105789071A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610189122.9

申请日：2016-03-29

申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所

发明人： 王辉 ,  庞婷

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67121 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/7555 ,  H01L2224/8119 ,  H01L2224/818

摘要： 本发明涉及微波芯片共晶技术，本发明公开了一种用于微波芯片共晶加压的装置，具体包括基板限位器、芯片限位器和点接触压块，芯片限位器上设置芯片限位孔，所述芯片限位孔的尺寸与芯片的尺寸相匹配，用作芯片的限位；芯片的下表面通过焊片与基板的上表面相接触；所述点接触压块的底板上设置微支撑柱，微支撑柱的数量小于或者等于芯片上表面的焊盘数量，微支撑柱的位置与芯片上表面的焊盘位置镜像对称，点接触压块上的微支撑柱与芯片上表面的焊盘相接触。芯片与基板共晶时，点接触压块上只有微支撑柱与芯片表面的焊盘相接触，避免了微波芯片表面“空气桥”等特殊结构的损伤。本发明还公开了一种微波芯片共晶加压方法。

公开(公告)号：CN105428251A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510947251.5

申请日：2015-12-16

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 丁万春

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/8119

摘要： 本发明提供一种半导体堆叠封装方法，包括：在基板上表面形成金属柱凸点，金属柱凸点的上表面高于待装载的第一芯片的上表面；将第一芯片倒装于基板的上表面；在基板上表面形成第一塑封层，第一塑封层露出金属柱凸点的顶部；将第二芯片的功能区连接至金属柱凸点；在第一塑封层的上表面形成第二塑封层，第二塑封层包覆第二芯片；在基板的下表面形成焊球或者可焊接膜层。本发明通过在基板上形成金属柱凸点实现互联，能够实现窄间距、高密度、大电流、低导通电阻等性能优势；在基板上形成金属柱凸点，能够简化封装工艺，减少回流次数，降低由于回流造成的基板涨缩等工艺风险；可以整条基板制作，提高生产效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN106252318A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610866729.6

申请日：2016-09-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 姚波

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/8119

摘要： 本发明涉及一种植球工艺和结构，其特征是：包括上晶圆和下晶圆，上晶圆的下表面沉积上晶圆绝缘层，下晶圆上表面沉积绝缘层，上晶圆下表面设有凸点，下晶圆上表面具有嵌入下晶圆上表面的嵌入式焊球，上晶圆下表面的凸点嵌入下晶圆的嵌入式焊球中，上晶圆绝缘层和下晶圆上表面的绝缘层实现键合。所述嵌入式焊球设置于下晶圆上表面的埋入孔中，在埋入孔的内壁依次设置绝缘层、种子层和焊盘层，在埋入孔的焊盘层上设置焊球。所述埋入孔的形状、尺寸与凸点的形状、尺寸一致。本发明能够保证晶圆凸点的有效互联以及两片晶圆键合的可靠性。

公开(公告)号：CN106098666A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610213046.0

申请日：2016-04-07

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  沈信隆

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/08267 ,  H01L2224/08268 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/16268 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/8119

摘要： 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含：一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一无源元件，位于第一表面上；一第一保护层，覆盖第一无源元件，第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面；以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构，位于第一保护层中，并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上，且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件，其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间，且能降低已知电感元件的成本。

公开(公告)号：CN105762133A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610193304.3

申请日：2016-03-30

申请人： 江苏长电科技股份有限公司

发明人： 刘恺 ,  王亚琴

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/52 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/8119 ,  H01L2224/8134 ,  H01L2224/81815

摘要： 本发明涉及一种堆叠式封装结构及其工艺方法，所述结构包括第一封装体（1）和第二封装体（2），所述第一封装体（1）包括第一基板（14）和第一芯片（16），所述第一基板（14）包括第一铜柱（11），所述第一基板上方的第一塑封料（17）上表面对应第一铜柱（11）的位置设置有开孔（18），所述第一铜柱（11）顶部设置有锡球（13），所述第二封装体（2）包括第二基板（19）、第二芯片（20）和第二塑封料（21），所述第二基板（19）下表面上设置有第二铜柱（12），所述第二铜柱（12）插装于第一塑封料（17）上的开孔（18）中。本发明一种堆叠式封装结构及其工艺方法，使回焊时的锡球能避免发生桥接现象，以提升产品的良率。