发明公开
- 专利标题: 一种用于微波芯片共晶加压的装置及加压方法
- 专利标题(英): Device used for realizing microwave chip eutectic pressurization and pressurization method
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申请号: CN201610189122.9申请日: 2016-03-29
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公开(公告)号: CN105789071A公开(公告)日: 2016-07-20
- 发明人: 王辉 , 庞婷
- 申请人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 申请人地址: 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人地址: 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理商 钱成岑
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L21/603 ; H01L21/67
摘要:
本发明涉及微波芯片共晶技术,本发明公开了一种用于微波芯片共晶加压的装置,具体包括基板限位器、芯片限位器和点接触压块,芯片限位器上设置芯片限位孔,所述芯片限位孔的尺寸与芯片的尺寸相匹配,用作芯片的限位;芯片的下表面通过焊片与基板的上表面相接触;所述点接触压块的底板上设置微支撑柱,微支撑柱的数量小于或者等于芯片上表面的焊盘数量,微支撑柱的位置与芯片上表面的焊盘位置镜像对称,点接触压块上的微支撑柱与芯片上表面的焊盘相接触。芯片与基板共晶时,点接触压块上只有微支撑柱与芯片表面的焊盘相接触,避免了微波芯片表面“空气桥”等特殊结构的损伤。本发明还公开了一种微波芯片共晶加压方法。
IPC分类: