公开(公告)号：CN105448861A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410308869.2

申请日：2014-06-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 陈福成

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/603 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/08058 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73101 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请公开了一种芯片、其制作方法及层叠芯片的制作方法。其中，该芯片包括：芯片基板；介质层，设置于芯片基板上，介质层包括第一介质区和环绕在第一介质区外周的第二介质区，且第一介质区的上表面低于第二介质区的上表面；金属层，设置于第一介质区并贯穿介质层，且金属层与芯片基板连接。在上述芯片中通过降低围绕在金属层外周的第一介质区相对于金属层的高度，使得暴露在第一介质层外面的金属层的体积增加。将该芯片与其它芯片进行键合过程中，在键合压力不变的情况下金属层内部的应力会减小，使得金属层的延展程度得以减小，进而提高层叠芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN107768256A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710199049.8

申请日：2017-03-29

申请人： 意法半导体股份有限公司

发明人： P·克雷马 ,  P·卡莎蒂

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/09 ,  H01L24/43 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08058 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85385 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/50

摘要： 本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属元件(16)的半导体器件(10)是通过以下方式制造的：-提供具有平滑形态用于覆盖前述金属元件(16)的第一金属层(102)；以及-提供第二金属层(104)，该第二金属层用于部分地覆盖该第一层(102)，使得该第一层(102)的表面的至少一部分被暴露，该第二层(104)具有粗糙的形态。还可以提供的是一种裸片焊盘(14)，用于通过以下方式来安装半导体裸片(12)：提供前述第一层(102)用来覆盖该裸片焊盘(14)；以及将半导体裸片(12)附接至与该第一层(102)相接触的该裸片焊盘(14)上。

公开(公告)号：CN207398133U

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201720324451.X

申请日：2017-03-29

申请人： 意法半导体股份有限公司

发明人： P·克雷马 ,  P·卡莎蒂

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/09 ,  H01L24/43 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08058 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85385

摘要： 本实用新型涉及半导体器件。在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属元件(16)的半导体器件(10)是通过以下方式制造的：‑提供具有平滑形态用于覆盖前述金属元件(16)的第一金属层(102)；以及‑提供第二金属层(104)，该第二金属层用于部分地覆盖该第一层(102)，使得该第一层(102)的表面的至少一部分被暴露，该第二层(104)具有粗糙的形态。还可以提供的是一种裸片焊盘(14)，用于通过以下方式来安装半导体裸片(12)：提供前述第一层(102)用来覆盖该裸片焊盘(14)；以及将半导体裸片(12)附接至与该第一层(102)相接触的该裸片焊盘(14)上。