公开(公告)号：CN109103171A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810631347.4

申请日：2018-06-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 ,  E·布洛克斯-纳皮拉尔斯卡 ,  B·戈勒 ,  A·韦斯鲍尔

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及具有减少的射频损耗的器件封装体。一种器件封装体包括半导体器件。半导体器件设置在衬底上。器件封装体还包括覆盖物。覆盖物设置在衬底上并且围绕半导体器件。覆盖物包括空隙、第一层和第二层。空隙在覆盖物的内表面与半导体器件之间。第一层具有第一电导率和第一厚度。第二层设置在第一层之下。第二层具有第二电导率和第二厚度。第一电导率大于第二电导率。第一厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：CN109103171B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201810631347.4

申请日：2018-06-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 ,  E·布洛克斯-纳皮拉尔斯卡 ,  B·戈勒 ,  A·韦斯鲍尔

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及具有减少的射频损耗的器件封装体。一种器件封装体包括半导体器件。半导体器件设置在衬底上。器件封装体还包括覆盖物。覆盖物设置在衬底上并且围绕半导体器件。覆盖物包括空隙、第一层和第二层。空隙在覆盖物的内表面与半导体器件之间。第一层具有第一电导率和第一厚度。第二层设置在第一层之下。第二层具有第二电导率和第二厚度。第一电导率大于第二电导率。第一厚度小于第二厚度。