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公开(公告)号：CN109103171A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810631347.4
申请日：2018-06-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 , E·布洛克斯-纳皮拉尔斯卡 , B·戈勒 , A·韦斯鲍尔
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开涉及具有减少的射频损耗的器件封装体。一种器件封装体包括半导体器件。半导体器件设置在衬底上。器件封装体还包括覆盖物。覆盖物设置在衬底上并且围绕半导体器件。覆盖物包括空隙、第一层和第二层。空隙在覆盖物的内表面与半导体器件之间。第一层具有第一电导率和第一厚度。第二层设置在第一层之下。第二层具有第二电导率和第二厚度。第一电导率大于第二电导率。第一厚度小于第二厚度。
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公开(公告)号：CN109103171B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201810631347.4
申请日：2018-06-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 , E·布洛克斯-纳皮拉尔斯卡 , B·戈勒 , A·韦斯鲍尔
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开涉及具有减少的射频损耗的器件封装体。一种器件封装体包括半导体器件。半导体器件设置在衬底上。器件封装体还包括覆盖物。覆盖物设置在衬底上并且围绕半导体器件。覆盖物包括空隙、第一层和第二层。空隙在覆盖物的内表面与半导体器件之间。第一层具有第一电导率和第一厚度。第二层设置在第一层之下。第二层具有第二电导率和第二厚度。第一电导率大于第二电导率。第一厚度小于第二厚度。
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公开(公告)号：CN106941351B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710005451.8
申请日：2017-01-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 , F·布尔哈克
Abstract: 本公开涉及用于随机扩频调制器的双校准环路。装置和技术的代表性实施提供了用于扩频PLL装置调制器的校准。第一校准环路包括互相关器以使被注入到PLL装置的信号路径中的随机或伪随机信号的序列与PLL装置的相位误差信号相互关联。第二校准环路包括带宽调谐器以调谐PLL装置的带宽和减小PLL装置的抖动。
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公开(公告)号：CN106941351A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710005451.8
申请日：2017-01-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 , F·布尔哈克
Abstract: 本公开涉及用于随机扩频调制器的双校准环路。装置和技术的代表性实施提供了用于扩频PLL装置调制器的校准。第一校准环路包括互相关器以使被注入到PLL装置的信号路径中的随机或伪随机信号的序列与PLL装置的相位误差信号相互关联。第二校准环路包括带宽调谐器以调谐PLL装置的带宽和减小PLL装置的抖动。
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