-
公开(公告)号：CN119433700A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411053412.1
申请日：2024-08-02
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 一种氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体。所述制造方法具备如下的工序：(a)准备基底基板；(b)在基底基板的上方形成包含n型的III族氮化物晶体的中间层；(c)在中间层上形成覆盖层；(d)通过电化学处理，维持覆盖层的表面状态并且穿过覆盖层中的位错而使中间层成为多孔状；(e)使由III族氮化物晶体形成的再生长层在覆盖层上外延生长；(f)以成为多孔状的中间层的至少一部分为边界，使再生长层自基底基板剥离，(e)具有如下工序：(e1)在第一生长温度下使第一再生长层在覆盖层上生长；(e2)在第二生长温度下使第二再生长层在第一再生长层上生长，在(e1)中，使第一生长温度低于第二生长温度。
-
公开(公告)号：CN113454766B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980091560.3
申请日：2019-12-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 斯蒂芬·J·巴尼克二世 , 贾斯廷·奥伯斯特 , 卡利·托尔凯尔森 , 布莱恩·L·巴卡柳 , 托马斯·阿南德·波努司瓦米
Abstract: 低温下铜‑铜直接接合通过在衬底上电镀铜特征接着电平坦化这些铜特征而实现。在使纳米孪晶铜结构形成的条件下，将铜特征电镀在衬底上。电平坦化铜特征通过使衬底阳极偏置并使铜特征与电解液接触而将铜电化学移除来执行。该电化学移除以一定方式执行，使得粗糙度在铜特征中减小且实质的共平面性在铜特征之间实现。具有纳米孪晶铜结构、减小粗糙度、及较佳共平面性的铜特征实现低温下的铜‑铜直接接合。
-
公开(公告)号：CN118280828A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410352491.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: H01L21/3063 , H01L21/67 , C25F3/12
Abstract: 本发明公开了一种半导体用碱性选择性电化学硅蚀刻液及蚀刻方法，碱性选择性电化学硅蚀刻液包含10‑50%的碱，0.01%‑2%的表面活性剂，以及余量的超纯水。其中高浓度的碱既充当硅蚀刻剂，又可以充当导电盐，增强电化学蚀刻过程中溶液的导电性。电化学蚀刻时将待选择性蚀刻的同时含有n‑Si和p‑Si的晶圆片作为电化学阳极，通过电化学选择性的阳极氧化，并利用碱性条件下硅和硅氧化物蚀刻速率的差异，可以达到选择性蚀刻p‑Si而保持n‑Si几乎不被蚀刻的目的。本发明提出的碱性选择性电化学硅蚀刻液不含任何强氧化剂，且通过控制电化学电压可以非常方便地控制p‑Si的蚀刻。
-
公开(公告)号：CN116397331A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310197727.2
申请日：2023-03-02
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 东莞市中器集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种多孔结构及其制作方法，方法包括：在生长衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长表面具有缺陷孔的碳掺氮化镓层，通过控制碳的掺杂浓度控制缺陷孔密度；在碳掺氮化镓层的表面生长本征氮化镓层，在缺陷孔的位置形成延伸孔；在本征氮化镓层的表面生长硅掺氮化镓层，硅掺氮化镓层中的硅原子优先填充在缺陷孔及延伸孔位置处，并沿生长厚度增长的方向聚集生长，形成硅聚集区；采用电化学蚀刻的方式对硅掺氮化镓层进行蚀刻，在硅聚集区的硅原子发生电化学反应以形成孔隙。本发明可通过控制碳掺氮化镓层的碳掺杂浓度控制缺陷孔的数量及分布，进而控制最终孔隙的位置，且在非缺陷孔位置对应的硅掺氮化镓层位置上，最终的孔隙数量大大减少。
-
公开(公告)号：CN114010934A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111430361.6
申请日：2021-11-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及一种局部多孔硅微针阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S1、在硅片表面制备双层薄膜；S2、转移掩模版的图案，在硅片上制备电化学刻蚀的掩膜；S3、电化学刻蚀，在硅片上制备局部多孔硅；S4、在硅片上制备干法刻蚀的图案化铝掩膜；S5、在硅片上制备局部多孔硅微针阵列。本发明相较于普通的固体微针，在微针针尖上制备了局部的多孔硅层，此结构能够利用较大的表面积增大微针的载药量，通过调节多孔硅的性质增强微针对药物释放的控制能力，提供了两种载药方式，且利用高深宽比的宏孔阵列能够提取组织液；相较于全多孔硅微针，此结构显著增强了微针的机械性能和穿刺能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571596A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010354874.2
申请日：2020-04-29
Applicant: 中建材浚鑫科技有限公司
Inventor： 樊选东
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C25F3/12 , C30B29/06 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅表面织构化工艺，采用二次腐蚀法制备高质量的多晶硅绒面，包括以下步骤：电化学预腐蚀多晶硅，电化学腐蚀溶液为体积分数为40％的氢氟酸与体积分数为99.7％的无水乙醇的混合液，体积比为1:2；将多晶硅片置于腐蚀溶液中，对P型多晶硅片进行电化学预腐蚀；预腐蚀的多晶硅片用去离子水反复洗净，氮气吹干；电化学工作站采用三电极体系，硅片为工作电极，钽片为辅助电极，参比电极采用饱和甘汞电极，通过盐桥与工作电极连接；S3：采用化学腐蚀法对预腐蚀后的多晶硅片进行二次处理，得到高性能的多晶硅绒面；预腐蚀多晶硅片在HF和H2O2体积比为4:1的腐蚀溶液中进行二次处理，然后用无水乙醇反复洗净多晶硅片，氮气保护。
-
公开(公告)号：CN113454766A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201980091560.3
申请日：2019-12-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 斯蒂芬·J·巴尼克二世 , 贾斯廷·奥伯斯特 , 卡利·托尔凯尔森 , 布莱恩·L·巴卡柳 , 托马斯·阿南德·波努司瓦米
Abstract: 低温下铜‑铜直接接合通过在衬底上电镀铜特征接着电平坦化这些铜特征而实现。在使纳米孪晶铜结构形成的条件下，将铜特征电镀在衬底上。电平坦化铜特征通过使衬底阳极偏置并使铜特征与电解液接触而将铜电化学移除来执行。该电化学移除以一定方式执行，使得粗糙度在铜特征中减小且实质的共平面性在铜特征之间实现。具有纳米孪晶铜结构、减小粗糙度、及较佳共平面性的铜特征实现低温下的铜‑铜直接接合。
-
公开(公告)号：CN112899765A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110065946.6
申请日：2021-01-19
Applicant: 池州市鼎弘半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种中性去溢料电解液及其制备工艺、使用方法；本发明的中性去溢料电解液的溶液酸碱度通过PH调节剂调节至中性，有机物组分含量低，去离子水含量高，可以确保在有效去除溢料的前提下，可以有效避免塑封体和金属框架或基体的损伤，以及产品内部分层的问题。同时避免了现有技术中因强碱性溶液在使用时接触工作人员皮肤而造成烧伤工作人员，以及对工厂发生火灾隐患，以及需要大量酸性物质中和等技术问题发生，并且也不会污染周围的环境，因此，可以达到安全，环保节能，降低使用成本的效果，本申请也不会对被加工I C引脚造成分层以及在电镀时不会腐蚀I C芯片，所以达到避免芯片线路在塑封后被腐蚀的现象发生。
-
公开(公告)号：CN111188083B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010075944.0
申请日：2020-01-23
Applicant: 河南理工大学
Abstract: 本发明提供了一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法，它包含以下步骤：1)将P型单晶硅片3置于铂片2和银片4之间，然后放入夹板5‑1和夹板5‑2之间，将铂丝8的一端置于铂片2和夹板5‑1之间，将铂丝9置于银片4和夹板5‑2之间，将螺栓6分别穿过夹板5‑1和夹板5‑2对应的圆孔11，再通过旋转螺母7将夹板5‑1和夹板5‑2固定，放入到容器1中；2)制备腐蚀液10；3)将步骤2)的腐蚀液10加入到步骤1)的容器1中；4)将步骤1)的铂丝8连接电源负极，铂丝9连接电源正极，通入电流；5)得到所有面均为多孔硅的样品，该方法解决了制备的多孔硅只占整个硅片表面一部分的问题。
-
公开(公告)号：CN111188082B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010071042.X
申请日：2020-01-21
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用，属于光电催化技术领域。本发明4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤：S1、清洗4H‑SiC单晶片；S2、以清洗后的4H‑SiC单晶片作为阳极，石墨片作为阴极，在刻蚀液中进行阳极氧化刻蚀，所述阳极氧化刻蚀依次包括去帽层刻蚀和连续周期刻蚀，制得光阳极半成品；S3、对光阳极半成品进行清洗、干燥，即制得4H‑SiC一体化自支撑光阳极。本发明的自支撑光阳极具有极低的光解水起始电位和较高的水分解光电流密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
242
records
(took 0.021 seconds)
