公开(公告)号：CN114010934B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202111430361.6

申请日：2021-11-29

Applicant: 江苏大学

Inventor： 张立强 ,  朱晨曦 ,  葛道晗 ,  周卓然 ,  曾洲

IPC: A61M37/00 ,  C25F3/04 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14

Abstract: 本发明涉及一种局部多孔硅微针阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S1、在硅片表面制备双层薄膜；S2、转移掩模版的图案，在硅片上制备电化学刻蚀的掩膜；S3、电化学刻蚀，在硅片上制备局部多孔硅；S4、在硅片上制备干法刻蚀的图案化铝掩膜；S5、在硅片上制备局部多孔硅微针阵列。本发明相较于普通的固体微针，在微针针尖上制备了局部的多孔硅层，此结构能够利用较大的表面积增大微针的载药量，通过调节多孔硅的性质增强微针对药物释放的控制能力，提供了两种载药方式，且利用高深宽比的宏孔阵列能够提取组织液；相较于全多孔硅微针，此结构显著增强了微针的机械性能和穿刺能力。

公开(公告)号：CN114010934A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111430361.6

申请日：2021-11-29

Applicant: 江苏大学

Inventor： 张立强 ,  朱晨曦 ,  葛道晗 ,  周卓然 ,  曾洲

IPC: A61M37/00 ,  C25F3/04 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14

Abstract: 本发明涉及一种局部多孔硅微针阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S1、在硅片表面制备双层薄膜；S2、转移掩模版的图案，在硅片上制备电化学刻蚀的掩膜；S3、电化学刻蚀，在硅片上制备局部多孔硅；S4、在硅片上制备干法刻蚀的图案化铝掩膜；S5、在硅片上制备局部多孔硅微针阵列。本发明相较于普通的固体微针，在微针针尖上制备了局部的多孔硅层，此结构能够利用较大的表面积增大微针的载药量，通过调节多孔硅的性质增强微针对药物释放的控制能力，提供了两种载药方式，且利用高深宽比的宏孔阵列能够提取组织液；相较于全多孔硅微针，此结构显著增强了微针的机械性能和穿刺能力。