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发明公开
碳化硅半导体衬底上制造接触的方法和碳化硅半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN117438296A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310904967.1

申请日：2023-07-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 , R·K·乔西 , H-J·舒尔茨 , B·戈勒 , D·克拉斯诺宗

IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/16

Abstract: 提供了碳化硅半导体衬底上制造接触的方法和碳化硅半导体器件。本公开总体涉及在碳化硅半导体衬底上制造接触的方法，其中该方法包括：提供4H‑SiC半导体衬底；用第一热退火激光束照射4H‑SiC半导体衬底的表面区域，从而生成至少包括3C‑SiC层的表面区域的相分离；以及在3C‑SiC层上沉积接触材料以在半导体衬底上形成接触层。本公开还涉及具有欧姆接触的碳化硅半导体器件，包括4H‑SiC半导体衬底、3C‑SiC层和在半导体表面处与3C‑SiC层直接接触的接触层。

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