公开(公告)号：CN108701680A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082975.0

申请日：2016-03-31

申请人： 英特尔公司

发明人： V.K.奈尔 ,  D.劳拉内

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

摘要： 本文描述了一种带有使用金属层和通孔的电磁屏蔽的半导体封装。在一个示例中，封装包含具有前侧和背侧的硅衬底，前侧包含有源电路和用于附接到衬底的触点阵列，在管芯的背侧上方的用于防护有源电路不受通过背侧的干扰的敷金属层，以及在一端耦合到背侧敷金属并且在另一端耦合到连接盘阵列的前侧连接盘的用于防护有源电路不受通过管芯的侧面的干扰的多个硅通孔。

公开(公告)号：CN108701680B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201680082975.0

申请日：2016-03-31

申请人： 英特尔公司

发明人： V.K.奈尔 ,  D.劳拉内

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/48

摘要： 本文描述了一种带有使用金属层和通孔的电磁屏蔽的半导体封装。在一个示例中，封装包含具有前侧和背侧的硅衬底，前侧包含有源电路和用于附接到衬底的触点阵列，在管芯的背侧上方的用于防护有源电路不受通过背侧的干扰的敷金属层，以及在一端耦合到背侧敷金属并且在另一端耦合到连接盘阵列的前侧连接盘的用于防护有源电路不受通过管芯的侧面的干扰的多个硅通孔。

公开(公告)号：CN109661725B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201680088753.X

申请日：2016-09-26

申请人： 英特尔公司

发明人： V.K.奈尔 ,  D.劳拉内

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L23/66 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L23/00

摘要： 本申请公开了一种具有嵌入式通信腔体的管芯。本文中一般讨论的是包括通信腔体的系统、设备和方法。根据示例，一种设备可以包括具有形成于其中的第一腔体的基板，在腔体中暴露并且被腔体封闭的第一和第二天线，以及形成在基板中的互连结构，该互连结构包括交替的导电材料层和层间介电层。

公开(公告)号：CN109661725A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201680088753.X

申请日：2016-09-26

申请人： 英特尔公司

发明人： V.K.奈尔 ,  D.劳拉内

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L23/66 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/10 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15192 ,  H01Q1/2283

摘要： 本文中一般讨论的是包括通信腔体的系统、设备和方法。根据示例，一种设备可以包括具有形成于其中的第一腔体的基板，在腔体中暴露并且被腔体封闭的第一和第二天线，以及形成在基板中的互连结构，该互连结构包括交替的导电材料层和层间介电层。