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公开(公告)号：CN104271694A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380025270.1
申请日：2013-05-14
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： C09J7/02 , B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： B32B37/12 , B32B27/08 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2255/26 , B32B2307/54 , B32B2307/546 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/8385 , H01L2924/12042 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , H01L2924/00
摘要： 提供一种在保持了芯片状部件的整齐性（整列性）的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，提供一种使用了该片的半导体装置的制造方法。本发明的带粘接性树脂层的片包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。
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公开(公告)号：CN104821300A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410286488.9
申请日：2014-06-24
申请人： 株式会社东芝
发明人： 田村幸治
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2224/27312 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/3226 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/37012 , H01L2224/37013 , H01L2224/37147 , H01L2224/40499 , H01L2224/41051 , H01L2224/4118 , H01L2224/48245 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/73271 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83447 , H01L2224/838 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84203 , H01L2224/8421 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/92242 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/27
摘要： 本发明提供厚度精度高的半导体装置及其制造方法。实施方式中，第1框架具有第1薄板部和第1厚板部。第2框架具有第2薄板部和第2厚板部。半导体芯片具有接合于第1框架的第1薄板部的第1内表面的第1电极、以及接合于第2框架的第2厚板部的第2内表面的第2电极。树脂将半导体芯片进行密封，并且使第1框架的第1外表面以及第2框架的第2外表面露出。
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公开(公告)号：CN104916614A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410371309.1
申请日：2014-07-30
申请人： 株式会社东芝
发明人： 福井刚
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49524 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/564 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/32245 , H01L2224/3226 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/4007 , H01L2224/40245 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/92246 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/0695 , H01L2924/07025 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种可实现可靠性的提高及导通电阻的降低的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体芯片、金属制的引线框、树脂制的密封部和金属制的连接器。半导体芯片具有表面电极。引线框具有搭载半导体芯片的第1部分和与第1部分分离地设置的第2部分。密封部以将半导体芯片覆盖的方式形成。连接器具有与半导体芯片的表面接合的第1接合部、与引线框的第2部分的表面接合的平板状的第2接合部、和将第1接合部与第2接合部之间连结的连结部。第2接合部相对于引线框的第2部分垂直地接合。
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公开(公告)号：CN104335343A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380026349.6
申请日：2013-08-02
申请人： 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号： H01L24/32 , H01L23/3677 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L33/60 , H01L33/647 , H01L2224/0346 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05567 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/14 , H01L2224/2746 , H01L2224/2784 , H01L2224/32113 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/49107 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/2075 , H01L2924/351 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H01L2224/03 , H01L2924/00015 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的半导体装置具有半导体元件以及与半导体元件电连接的金属缓冲层而构成。在本发明的半导体装置中，以金属缓冲层和半导体元件相互面接触这样的形态连接了金属缓冲层和半导体元件。此外，金属缓冲层成为在向二次安装基板的安装中使用的外部连接端子，并且也成为在二次安装基板与半导体元件之间具有应力缓和作用的缓冲构件。
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公开(公告)号：CN104271694B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380025270.1
申请日：2013-05-14
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： C09J7/02 , B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： B32B37/12 , B32B27/08 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2255/26 , B32B2307/54 , B32B2307/546 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/8385 , H01L2924/12042 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , H01L2924/00
摘要： [课题]提供一种在保持了芯片状部件的整齐性（整列性）的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，提供一种使用了该片的半导体装置的制造方法。[解决手段]本发明的带粘接性树脂层的片包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。
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公开(公告)号：CN103563061B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280025465.1
申请日：2012-05-24
申请人： 住友电木株式会社
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L23/49579 , C08K3/08 , C08K2003/0806 , C09J9/00 , C09J11/04 , H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L23/367 , H01L23/3737 , H01L23/49513 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29386 , H01L2224/29439 , H01L2224/32225 , H01L2224/3224 , H01L2224/32245 , H01L2224/3226 , H01L2224/32501 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2924/01014 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要： 根据本发明，提供成品率优异的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（芯片焊盘）（2）；半导体元件（3）；和介于基材与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。在粘接层（1）中含有热传导性填料（8）。该半导体装置（10）在粘接层（1）中分散有热传导性填料（8），在将整个粘接层（1）中的热传导性填料（8）的含有率设为C、将粘接层（1）的从半导体元件（3）侧的界面起至深度2μm的区域1中的热传导性填料（8）的含有率设为C1、并将粘接层（1）的从基材（芯片焊盘）（2）侧的界面起至深度2μm的区域2中的热传导性填料（8）的含有率设为C2时，满足C1＜C并且C2＜C。
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公开(公告)号：CN103563061A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280025465.1
申请日：2012-05-24
申请人： 住友电木株式会社
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L23/49579 , C08K3/08 , C08K2003/0806 , C09J9/00 , C09J11/04 , H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L23/367 , H01L23/3737 , H01L23/49513 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29386 , H01L2224/29439 , H01L2224/32225 , H01L2224/3224 , H01L2224/32245 , H01L2224/3226 , H01L2224/32501 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2924/01014 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要： 根据本发明，提供成品率优异的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（芯片焊盘）（2）；半导体元件（3）；和介于基材与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。在粘接层（1）中含有热传导性填料（8）。该半导体装置（10）在粘接层（1）中分散有热传导性填料（8），在将整个粘接层（1）中的热传导性填料（8）的含有率设为C、将粘接层（1）的从半导体元件（3）侧的界面起至深度2μm的区域1中的热传导性填料（8）的含有率设为C1、并将粘接层（1）的从基材（芯片焊盘）（2）侧的界面起至深度2μm的区域2中的热传导性填料（8）的含有率设为C2时，满足C1＜C并且C2＜C。
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