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公开(公告)号:CN104584208B
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201380043191.3
申请日:2013-12-20
申请人: 松下知识产权经营株式会社
摘要: 本发明所涉及的电子部件封装的制造方法包括:(i)形成以电子部件的电极从密封树脂层的表面露出的方式在密封树脂层中埋设有电子部件的封装前驱体的工序;(ii)将具有贯通孔的金属箔设置在密封树脂层的表面的工序,即,以使贯通孔被定位为与电子部件的电极对置的方式设置金属箔的工序;以及(iii)针对金属箔形成金属镀层的工序。在工序(iii)中,在实施干式镀覆法之后实施湿式镀覆法来形成金属镀层,由金属镀层填充金属箔的贯通孔,使金属镀层和金属箔一体化。
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公开(公告)号:CN102472942B
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201180002846.3
申请日:2011-04-14
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: G09F9/372 , G02F1/167 , G02F2001/1676 , G02F2201/18 , G09F9/301 , G09F15/0075
摘要: 本发明提供能够以高品质容易地实现大面积化的电子纸及其制造方法。该电子纸通过将形成有第一电极的第一基板和形成有第二电极的第二基板对置设置,并使该第一基板和第二基板之间具有构成像素的多个单元空间而构成,第一基板由分别形成有第一电极的多个第一板片部件构成,在该第一板片部件上分别隔着隔壁而设置盖基板,从而构成具有分别被隔壁划分的多个单元空间而成的多个子板片结构体,第一电极在相邻的子板片结构体之间被连接。
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公开(公告)号:CN102576678B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180004076.6
申请日:2011-04-14
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC分类号: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1262 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L2251/5338
摘要: 本发明提供一种能够减小在多层配线间产生的寄生电容,并增大半导体元件等中的电容器部的容量的柔性半导体装置及其制造方法。该柔性半导体装置具备形成半导体元件的绝缘膜,在该绝缘膜的上表面和下表面分别具有上部配线图案层和下部配线图案层,半导体元件包括在绝缘膜的上表面形成的半导体层、按照与半导体层相接触的方式形成于绝缘膜的上表面的源电极和漏电极、按照与半导体层相对置的方式形成于绝缘膜的下表面的栅电极,在绝缘膜中,使与源电极、漏电极、上部配线图案层以及下部配线图案层相对置的绝缘膜的第1膜厚比栅电极和半导体层间的绝缘膜的第2膜厚厚。
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公开(公告)号:CN104584210A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201380043805.8
申请日:2013-12-20
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L21/288 , H01L21/4878 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/367 , H01L23/433 , H01L23/5386 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/96 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2224/32225 , H01L2924/00014 , H01L2224/32245 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2224/11
摘要: 用于制造本发明的电子部件封装件的方法,在载体上进行了第1电子部件以及第2电子部件的配置以及密封树脂层的形成之后将该载体剥离除去,由此得到第1电子部件以及第2电子部件被埋设于密封树脂层并使得第1电子部件的电极以及第2电子部件的至少一方的电极从密封树脂层的表面露出的封装件前体。在本发明的电子部件封装件的制造方法中,在第1电子部件以及第2电子部件的配置时,将第1电子部件以及第2电子部件定位成第1电子部件以及第2电子部件的高度水平相互不同。此外,在载体除去后,按照与第1电子部件的电极露出面以及第2电子部件的电极露出面相接的方式形成金属镀敷层。
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公开(公告)号:CN103649886B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201380002131.7
申请日:2013-05-17
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01B5/14 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B13/003 , H01B13/0036 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , H01L31/1888 , H01L51/5209 , Y02E10/50
摘要: 本发明的透明电极具有支撑基板、设置于支撑基板上的第一透明导电性膜、设置于第一透明导电性膜上的透明绝缘性膜、以及设置于透明绝缘性膜上的第二透明导电性膜。在本发明的透明电极中,第一透明导电性膜和第二透明导电性膜以及在它们之间设置的透明绝缘性膜全部包含金属化合物,另外,第一透明导电性膜和第二透明导电性膜具有结晶结构,另一方面,透明绝缘性膜具有非晶结构。
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公开(公告)号:CN103649742B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201280034303.4
申请日:2012-12-12
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: G01N27/416
CPC分类号: G01N27/30 , G01N27/3277 , H01R43/16 , Y10T29/49204
摘要: 电化学检测器(100)是通过使氧化还原作用循环发生来检测液体中的物质的电化学检测器,具备:具有第1电极面(20a)的第1工作电极(20);具有第2电极面(40a)的第2工作电极(40);和多个绝缘性的间隔物粒子(50),使所述第1以及第2电极面(20a、40a)面对面配置,以使得在所述第1以及第2电极面(20a、40a)间形成电场(F),多个间隔物粒子(50)沿所述第1以及第2电极面(20a、40a)配置,以使所述第1以及第2电极面(20a、40a)分离。
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公开(公告)号:CN104603932A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201380043802.4
申请日:2013-12-20
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01L23/367 , H01L21/4846 , H01L21/4871 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明的用于制造电子部件封装件的方法,形成将电子部件埋设于密封树脂层并使得该电子部件的电极从该密封树脂层的表面露出的封装件前体。尤其在电子部件封装件的制造方法中,将如下工序进行组合来实施,由此得到阶梯状的金属镀敷层,所述工序包括:对封装件前体逐次实施干式以及湿式的镀敷处理法来形成多个金属镀敷层的工序;和对该多个金属镀敷层的至少2个实施图案形成处理的工序。
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公开(公告)号:CN104584207A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201380043143.4
申请日:2013-12-20
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01L33/647 , C23C14/34 , C23C14/5846 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/167 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/0346 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/8203 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 用于制造本发明的电子部件封装的方法包括如下工序:(i)准备具有配置电子部件的主面(A)以及与其对置的主面(B)、且在主面(A)的电子部件配置区域设有贯通孔的金属箔的工序;(ii)将电子部件配置在所述金属箔的工序,即,将电子部件配置在电子部件配置区域,以使成为贯通孔的开口部被电子部件的电极盖住的形态的工序;(iii)以覆盖电子部件的方式在金属箔的主面(A)一侧形成密封树脂层的工序;和(iv)在金属箔的主面(B)一侧形成金属镀层的工序。在工序(iv)中,在实施干式镀覆法之后实施湿式镀覆法来形成金属镀层,由金属镀层填充金属箔的贯通孔,使金属镀层和金属箔一体化。
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公开(公告)号:CN104584208A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201380043191.3
申请日:2013-12-20
申请人: 松下知识产权经营株式会社
摘要: 本发明所涉及的电子部件封装的制造方法包括:(i)形成以电子部件的电极从密封树脂层的表面露出的方式在密封树脂层中埋设有电子部件的封装前驱体的工序;(ii)将具有贯通孔的金属箔设置在密封树脂层的表面的工序,即,以使贯通孔被定位为与电子部件的电极对置的方式设置金属箔的工序;以及(iii)针对金属箔形成金属镀层的工序。在工序(iii)中,在实施干式镀覆法之后实施湿式镀覆法来形成金属镀层,由金属镀层填充金属箔的贯通孔,使金属镀层和金属箔一体化。
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公开(公告)号:CN104335343A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201380026349.6
申请日:2013-08-02
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01L24/32 , H01L23/3677 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L33/60 , H01L33/647 , H01L2224/0346 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05567 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/14 , H01L2224/2746 , H01L2224/2784 , H01L2224/32113 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/49107 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/2075 , H01L2924/351 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H01L2224/03 , H01L2924/00015 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要: 本发明的半导体装置具有半导体元件以及与半导体元件电连接的金属缓冲层而构成。在本发明的半导体装置中,以金属缓冲层和半导体元件相互面接触这样的形态连接了金属缓冲层和半导体元件。此外,金属缓冲层成为在向二次安装基板的安装中使用的外部连接端子,并且也成为在二次安装基板与半导体元件之间具有应力缓和作用的缓冲构件。
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