发明授权
- 专利标题: 柔性半导体装置及其制造方法
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申请号: CN201180004076.6申请日: 2011-04-14
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公开(公告)号: CN102576678B公开(公告)日: 2015-11-25
- 发明人: 一柳贵志 , 中谷诚一 , 平野浩一
- 申请人: 松下知识产权经营株式会社
- 申请人地址: 日本国大阪府
- 专利权人: 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人: 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国大阪府
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权: 2010-109837 2010.05.12 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/002203 2011.04.14
- 国际公布: WO2011/142081 JA 2011.11.17
- 进入国家日期: 2012-03-30
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L21/822 ; H01L21/8234 ; H01L27/04 ; H01L27/06 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/786 ; H01L51/50 ; H05B33/02
摘要:
本发明提供一种能够减小在多层配线间产生的寄生电容,并增大半导体元件等中的电容器部的容量的柔性半导体装置及其制造方法。该柔性半导体装置具备形成半导体元件的绝缘膜,在该绝缘膜的上表面和下表面分别具有上部配线图案层和下部配线图案层,半导体元件包括在绝缘膜的上表面形成的半导体层、按照与半导体层相接触的方式形成于绝缘膜的上表面的源电极和漏电极、按照与半导体层相对置的方式形成于绝缘膜的下表面的栅电极,在绝缘膜中,使与源电极、漏电极、上部配线图案层以及下部配线图案层相对置的绝缘膜的第1膜厚比栅电极和半导体层间的绝缘膜的第2膜厚厚。
公开/授权文献
- CN102576678A 柔性半导体装置及其制造方法 公开/授权日:2012-07-11
IPC分类: