驱动器电路和开关系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113875140B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202080039205.4

    申请日:2020-04-28

    摘要: 在无需提供电容大的电容器的情况下减少接通时间。加速电路(14)设置在电源端子(11)与半导体开关元件(2)的栅极(21)之间。阻抗元件(15)设置在信号输入端子(13)和节点(N1)之间,节点(N1)在加速电路(14)与半导体开关元件(2)的栅极(21)之间。在加速电路(14)中,第二场效应晶体管(Q2)串联连接到第一场效应晶体管(Q1),并且连接到半导体开关元件(2)的栅极(21)。阻抗元件(15)的阻抗高于在第一场效应晶体管(Q1)和第二场效应晶体管(Q2)这两者都处于接通状态的情况下的加速电路(14)的阻抗。

    电子部件封装以及其制造方法

    公开(公告)号:CN104584208B

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201380043191.3

    申请日:2013-12-20

    摘要: 本发明所涉及的电子部件封装的制造方法包括:(i)形成以电子部件的电极从密封树脂层的表面露出的方式在密封树脂层中埋设有电子部件的封装前驱体的工序;(ii)将具有贯通孔的金属箔设置在密封树脂层的表面的工序,即,以使贯通孔被定位为与电子部件的电极对置的方式设置金属箔的工序;以及(iii)针对金属箔形成金属镀层的工序。在工序(iii)中,在实施干式镀覆法之后实施湿式镀覆法来形成金属镀层,由金属镀层填充金属箔的贯通孔,使金属镀层和金属箔一体化。

    电子部件封装以及其制造方法

    公开(公告)号:CN104584208A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201380043191.3

    申请日:2013-12-20

    摘要: 本发明所涉及的电子部件封装的制造方法包括:(i)形成以电子部件的电极从密封树脂层的表面露出的方式在密封树脂层中埋设有电子部件的封装前驱体的工序;(ii)将具有贯通孔的金属箔设置在密封树脂层的表面的工序,即,以使贯通孔被定位为与电子部件的电极对置的方式设置金属箔的工序;以及(iii)针对金属箔形成金属镀层的工序。在工序(iii)中,在实施干式镀覆法之后实施湿式镀覆法来形成金属镀层,由金属镀层填充金属箔的贯通孔,使金属镀层和金属箔一体化。

    伸缩性柔性基板以及其制造方法

    公开(公告)号:CN106211545A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610227456.0

    申请日:2016-04-13

    IPC分类号: H05K1/02 H05K3/18

    摘要: 本申请的一个方案的伸缩性柔性基板具备:电子部件;位于所述电子部件的周围且具有相互对置的第1主面和第2主面的第1绝缘层;与所述第1主面接触的第1金属层;与所述第2主面接触且与所述电子部件电连接的第2金属层;以及将所述电子部件、所述第1绝缘层和所述第2金属层密封的第2绝缘层,在俯视图中,从至少由所述电子部件、所述第1绝缘层的一部分、所述第1金属层的一部分和所述第2金属层的一部分构成的中心部,至少由所述第1绝缘层的除了所述一部分以外的其他部分、所述第1金属层的除了所述一部分以外的其他部分和所述第2金属层的除了所述一部分以外的其他部分构成的至少一个弯曲配线部延伸,所述至少一个弯曲配线部至少部分弯曲。

    栅极驱动电路以及半导体断路器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114097168A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202080050512.2

    申请日:2020-07-10

    IPC分类号: H02M1/08 H02M1/32

    摘要: 栅极驱动电路(1)具备:输入端子(T1);第1电路路径(5),插入在连接输入端子(T1)与功率晶体管(2)的栅极的布线;与第1电路路径(5)并联连接的第2电路路径(6);以及与第2电路路径(6)并联连接的第3电路路径(7),第1电路路径(5)具有栅极电阻(Rgon),第2电路路径(6)具有串联连接的第1电容器(C1)以及第1电阻(R1),第3电路路径(7)具有串联连接的第2电容器(C2)以及第2电阻(R2),第2电容器(C2)的电容值比第1电容器(C1)大,第2电阻(R2)的电阻值比第1电阻(R1)大,栅极电阻(Rgon)的电阻值比第2电阻(R2)大。

    驱动器电路和开关系统
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113875140A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202080039205.4

    申请日:2020-04-28

    摘要: 在无需提供电容大的电容器的情况下减少接通时间。加速电路(14)设置在电源端子(11)与半导体开关元件(2)的栅极(21)之间。阻抗元件(15)设置在信号输入端子(13)和节点(N1)之间,节点(N1)在加速电路(14)与半导体开关元件(2)的栅极(21)之间。在加速电路(14)中,第二场效应晶体管(Q2)串联连接到第一场效应晶体管(Q1),并且连接到半导体开关元件(2)的栅极(21)。阻抗元件(15)的阻抗高于在第一场效应晶体管(Q1)和第二场效应晶体管(Q2)这两者都处于接通状态的情况下的加速电路(14)的阻抗。