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公开(公告)号：CN112968121B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110206992.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10N10/857 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN118865470A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410999565.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V40/16 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/75 , G06N3/0464 , G06N3/096
Abstract: 本发明涉及一种基于深度层特征迁移学习的人脸伪造检测方法及装置，包括：将待检测人脸数据输入预先训练的目标网络；得到待检测人脸数据对应的检测结果；其中，目标网络的训练过程包括：提取参照神经网络的中间层作为深度层特征信息；选择目标网络的中间层作为检测迁移信息；利用深度层特征信息和检测迁移信息构建损失函数；调整深度层特征信息和检测迁移信息的网络参数直至损失函数的损失值小于预设阈值，得到预先训练的目标网络。本发明通过深度层特征的迁移学习得到的目标网络在人脸伪造检测技术中时，能够提升人脸伪造检测的检测性能和适用性，增强模型的泛化能力，减少对特定数据集的依赖，并提高其对于新兴伪造技术的适应能力。
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公开(公告)号：CN118371706A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410474822.7
申请日：2024-04-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: B22F1/0545 , B22F9/16
Abstract: 本发明公开了一种低熔点纳米铋合金液滴的可控制备方法，属于纳米结构材料制备领域。属于纳米结构材料制备领域。本发明方法首先制备得到Si(111)‑7×7再构表面；然后在Si(111)‑7×7再构表面沉积20到40个单层(ML)Bi；再在室温下，以0.002～0.003ML/s的沉积速率将铟原子蒸镀到单晶Bi膜上，此时，In原子会通过毛细力扩散破坏单晶铋Bi膜，通过控制In与Bi的原子数之比，可以获得自组装近似球形的合金液滴结构，实现纳米铋合金液滴的可控制备。本发明易于实现，操作简单；同时采用Si晶片衬底，相对于化合物半导体衬底，本发明采用的Si衬底工艺兼容度更好，成本更低，更易获取。
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公开(公告)号：CN118291140A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410484553.2
申请日：2024-04-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于CdZnTeSe晶片的表面腐蚀剂，属于半导体器件加工技术领域。该腐蚀剂的配方为：3ml氢氟酸、2g重铬酸钾、0.25g硝酸银和10ml水；氢氟酸的体积分数为48.5％～49.5％。本发明在HHKA腐蚀液配方的基础上，将10ml体积分数为68～70％的浓硝酸替换为3ml体积分数为48.5％～49.5％的氢氟酸，在降低酸性强度的同时降低了腐蚀剂体系中N元素含量，达到减少晶片表面N元素组分含量的效果；同时，本发明通过降低腐蚀剂中酸的强度便于CdZnTeSe(110)面的腐蚀坑形貌基本均一的控制，减少腐蚀坑的差异程度，更易于观察。
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公开(公告)号：CN117890199A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410078845.6
申请日：2024-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于弹性薄片微小样品应变状态性能测试的弯曲夹具，所述装置包括U型底座、水平位移与夹持转动部分。U型底座是整个装置的安装基准，用于固定和支撑其他零件，底部开孔以适应需要光路通过的测试场合。水平位移部分由手动或超微型步进电机驱动微型螺杆，进而推动挡板、导套及夹持转动部分产生位移，导套和导柱配合完成导向，且具有弹簧复位功能。夹持转动部分由夹持方块(定块)和夹持方块(动块)以及各自内置的偏心开槽圆柱构成，偏心开槽圆柱随样品的受力弯曲而发生转动，保证样品正确受力。本弯曲夹具可实现在不同温度条件下连续调节薄片样品的弯曲半径，体积紧凑、安装方便且便于维护，在不同测试设备之间的通用性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111211041B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202010025371.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种制备大面积β相In2Se3单晶薄膜的方法，包含如下步骤：1)对晶面取向为(111)的硅衬底进行化学清洗及化学腐蚀处理，得到表面洁净的氢钝化硅衬底；2)将制得的硅衬底传入分子束外延系统内并加热至180℃除气至系统真空度优于8×10‑10mbar；3)衬底除气完成后自然冷却至生长温度范围，同时打开In束流源与Se束流源生长合成In2Se3多晶薄膜；4)多晶薄膜生长完成后立即将衬底温度升至300～350℃进行5分钟的后续退火；5)退火完成后立即停止加热，自然冷却至室温，即可制得高质量β相In2Se3单晶薄膜。本发明所述生长β相In2Se3薄膜的方法，利用分子束外延技术结合后续原位退火工艺，能在氢钝化硅衬底上以较低温度制备大面积高质量的β相In2Se3单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN114574958A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210069101.9
申请日：2022-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种外延制备片状Bi4Se3微晶的方法，包含如下步骤：1)将单晶云母衬底先用化学试剂清洗，再用胶带剥离解理，得到表面洁净平整的云母衬底；2)将云母衬底传入分子束外延真空系统内并加热除气；3)将温度降低至生长温度范围后，同时打开Bi束流源与Se束流源，在云母表面开始生长Bi4Se3；4)生长完成之后立即停止衬底加热，冷却至室温，即得。本发明利用分子束外延技术在云母衬底表面生长片状Bi4Se3微晶，所需的生长温度低，制备的片状Bi4Se3微晶化学计量比准确，结晶质量高，取向一致，表面平整，厚度尺寸均一，在衬底表面的覆盖度可调，便于大规模重复生产。
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公开(公告)号：CN117987914A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410172948.9
申请日：2024-02-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种择优取向硒碲固溶体纳米晶薄膜的平坦化制备方法，属于光电材料制备技术领域。所述硒碲固溶体纳米晶薄膜晶粒择优取向为(100)与(110)，晶粒尺寸为20～40nm，薄膜厚度为30～720nm，表面均方根粗糙度低于2nm。制备方法包括如下步骤：对云母衬底进行常规生长前处理；采用分子束外延方法在云母衬底上低温生长硒碲固溶体薄膜；每生长30nm厚度的薄膜进行一次原位快速退火，退火温度130℃，每次退火2分钟，薄膜生长与退火交替进行直至达到目标厚度即得。本发明制备的硒碲固溶体纳米晶薄膜具有精确的厚度和成分配比，纯度高且具有良好结晶质量与表面平整度，达到满足光电阵列器件制备要求的技术效果。
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公开(公告)号：CN118292114A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410484550.9
申请日：2024-04-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CdZnTeSe晶片的退火装置，属于晶体热处理技术领域。该装置包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；其中，加热炉内的中部温区设置为梯度温度，石英安瓿通过升降装置在加热炉内上下移动，内石英坩埚通过石英固定圆盘和石英棒固定于石英安瓿内不同高度。本发明将晶片置于温度梯度区间内的不同位置处，结合镉源挥发的饱和蒸汽，进而实现各晶片在不同温度处的同时退火功能；退火后通过检测晶片，得到一定温度范围内最优的晶片退火温度，并将该温度用于后续同一晶锭中剩余晶片的退火处理，以保证该批次剩余晶片退火后的良率和性能。
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公开(公告)号：CN112968121A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110206992.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。
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