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公开(公告)号：CN106702482B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201611202065.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，分别升高铟束流源与锑裂解束流源温度，开始InSb形核层的生长；4)待步骤3)InSb形核层生长后，开始InSb外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用与InSb晶格相匹配的Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为10nm的低温InSb形核层后，再适当提高生长温度进行InSb外延层的生长，就可获得高表面能平整度且单一In极性InSb单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN105551927B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610053880.8
申请日：2016-01-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J37/32 , C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置于射频线圈内，连接杆后部套于射频源进气管上，管体后连接端内径大于连接杆前端内径可保证二者能相对旋转一定角度时气路畅通，高纯气体从进气管通过连接杆进入放电锥放电，等离子体进入主管体后在腔壁上反射震荡能使腔内气体充分等离子化并通过发射孔发射。所述放电管提高了射频等离子体放电效率，而且能保证圆柱形放电管在不均匀形状或形变电感线圈内方便地安装与安全地使用。
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公开(公告)号：CN106702482A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611202065.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，分别升高铟束流源与锑裂解束流源温度，开始InSb形核层的生长；4)待步骤3)InSb形核层生长后，开始InSb外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用与InSb晶格相匹配的Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为10nm的低温InSb形核层后，再适当提高生长温度进行InSb外延层的生长，就可获得高表面能平整度且单一In极性InSb单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN103367481B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310322211.2
申请日：2013-07-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方案，属于红外光电探测器领域。砷化镓量子环红外光电探测器，包括衬底层（1）、生长在衬底层（1）上的砷化镓缓冲层（2），还包括在砷化镓缓冲层（2）上依次生长的砷化镓接触层（3）、砷化镓铝底部间隔层（4）、量子环结构层（5）；所述量子环结构层（5）至少有2层，层叠在一起。本发明通过使器件在外延生长过程中在砷化镓铝势垒材料中生长出三维结构的砷化镓量子环，避免了晶格失配应力，从而可以通过增加量子结构的叠层数来提高探测器有源区的光吸收，增加红外光电探测器的探测效率。
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公开(公告)号：CN103613137B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310547151.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼纳米花的水热合成方法，主要是将无机钼源、有机硫源以及适当的还原剂加入去离子水中混合均匀后移到啊反应高压釜中，高温加热24小时。所得溶液经过多次洗涤，离心分离，最后干燥得到黑色固体粉末即是二硫化钼纳米花。本发明的有益效果是：本发明的整个反应、干燥的过程中，都是在密封环境中进行，避免了直接曝露在空气中，保证了产品的纯度；本发明采用还原剂即可以作为硫源，也可作为催化剂，不会有杂质产生，进一步提升了产品的纯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103613137A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310547151.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼纳米花的水热合成方法，主要是将无机钼源、有机硫源以及适当的还原剂加入去离子水中混合均匀后移到啊反应高压釜中，高温加热24小时。所得溶液经过多次洗涤，离心分离，最后干燥得到黑色固体粉末即是二硫化钼纳米花。本发明的有益效果是：本发明的整个反应、干燥的过程中，都是在密封环境中进行，避免了直接曝露在空气中，保证了产品的纯度；本发明采用还原剂即可以作为硫源，也可作为催化剂，不会有杂质产生，进一步提升了产品的纯度。
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公开(公告)号：CN118539983A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410769977.3
申请日：2024-06-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/079 , H04B17/14 , H04B17/318 , H04L7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于LED阵列光通信的数据传输系统及方法，包括发射模块、接收模块、数据处理模块、同步模块、编码与解码模块、校准模块、环境监测模块以及控制管理模块；所述发射模块用于控制LED阵列的电流，并将要传输的数字信号调制到光信号上；本发明通过LED阵列光通信能够提供较高的数据传输速率和大容量传输能力，比传统的无线通信技术更具优势，而LED作为光源具有较低的功耗，光通信系统的能耗更低，同时对电磁干扰的抗性更强，不会产生电磁辐射，信息传输更加安全可靠，最后，本发明基于LED阵列光通信可以灵活布局和控制，便于根据实际需求进行系统扩展和优化，适用于不同规模和复杂度的应用场景，具有灵活性和可扩展性。
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公开(公告)号：CN104801317B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510138426.8
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J27/04 , B01J27/045 , B01J27/02 , B01J27/057 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种光解水制氢催化剂及其制备方法，属于光催化技术领域。所述催化剂由贵金属M和黄铜矿四元化合物Cu2ZnSnX4复合得到，贵金属M为Au或Pt，黄铜矿四元化合物Cu2ZnSnX4为Cu2ZnSnS4或Cu2ZnSnSe4，所述M与Cu2ZnSnX4的摩尔比为0.001～0.1。本发明制备黄铜矿四元化合物Cu2ZnSnX4时，采用微波法对混合液进行加热反应，反应温度为160～200℃、功率为400W、反应时间为5～15min。本发明采用微波法制备催化剂，制备周期短、重复性好，得到的催化剂对可见光和紫外光都能产生响应激发出电子和空穴，提高了太阳光的利用效率和产氢率，光催化活性高。
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公开(公告)号：CN104722316B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510136180.0
申请日：2015-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J27/051
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼复合纳米金光催化剂及其制备方法，属于纳米复合光催化剂领域。所述光催化剂由二硫化钼纳米颗粒和金纳米颗粒复合得到，二硫化钼纳米颗粒与金纳米颗粒的摩尔比为(5～20)：1。具体方法为：首先采用水热法制备二硫化钼纳米颗粒；然后将二硫化钼纳米颗粒分散于水中，并滴加氯金酸溶液和抗氧化剂溶液，混合均匀，二硫化钼、氯金酸和抗氧化剂的摩尔比为(5～20)：1：(1～3)；混合液在200～1000W氙灯下光照2～10min，光照中不断搅拌，停止光照后继续搅拌1～5h；分离、洗涤、干燥，得到所述光催化剂。本发明方法操作简单、反应条件温和、重复性好，避免了高温烧结处理，且得到的光催化剂活性高。
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公开(公告)号：CN103390640B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310335909.8
申请日：2013-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L21/28 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特基接触层与欧姆接触电极之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。本发明采用上述结构，能够使Bi2Se3与n型Si之间构成了稳定的肖特基结，另外，粘接层能使Bi2Se3单晶薄片与Si片有效地粘贴在一起，适于规模化生产，且异质结界面的质量能够得到保证。
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