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公开(公告)号：CN119345954A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411476743.6
申请日：2024-10-21
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
IPC: B01F27/92 , C30B35/00 , C30B29/48 , B01F23/70 , B01F35/21 , B01F27/2323 , B01F35/12 , B01F35/11
Abstract: 本发明涉及配比装置技术领域，尤其是一种碲锌镉晶体加工用原料配比装置及其配比方法，包括：箱体，所述箱体的一侧设置有漏料斗，所述箱体的侧壁设置有出料口，所述出料口位于漏料斗的内部，所述漏料斗的顶部安装有电子秤，所述漏料斗的侧壁安装有第一电动伸缩杆，所述漏料斗滑动连接有弧形的密封板，有益效果在于：转轴转动时在皮带传动的作用下带动丝杆转动，丝杆转动时螺纹块与高压喷头移动，方形管贯穿螺纹块对其限位防止螺纹块随丝杆转动，高压喷头边喷水边移动有利于提高喷射的范围提高清洗的效果，高压喷头喷出的水冲向筛网对筛网清洁，同时水可以从筛网流出并留在箱体的内部对箱体浸泡实现对箱体的清洁。
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公开(公告)号：CN116832681A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310812905.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
IPC: B01F35/12 , C01B25/08 , B01F35/32 , B01F27/90 , B01F27/191 , B01F35/53 , B01F35/222 , B01F21/10
Abstract: 本发明公开了一种半绝缘磷化铟的制备装置及方法，具体涉及化工设备技术领域，包括浸渍处理箱，所述浸渍处理箱上贯穿卡设有进料管，所述浸渍处理箱的正面卡设有观察窗，所述浸渍处理箱下贯穿卡设有出料管。本发明通过设置旋转轴、转动盘、第二轴承、连接轴、搅动杆、齿轮、齿圈、弧形板、导向槽、移动块、活塞板、活塞杆、单向出气阀和气管，且转动盘通过导向槽和移动块控制弧形板和活塞板往复进行前后移动，活塞板向后移动将活塞框中气体通过气管和单向出气阀挤压进入浸渍处理箱内部，增加的气压和更为充分搅动，且搅动过程存在从上向下对液面位置的搅动，使溶解过程更为充分，高效，保证了整体的制备加工效率。
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公开(公告)号：CN115196603B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210812135.2
申请日：2022-07-11
Applicant: 武汉拓材科技有限公司 , 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯硒的制备设备及方法，具体涉及生产制造业技术领域，包括支撑底板，所述支撑底板的上表面与粉碎设备和真空精馏反应釜的下表面固定连接。本发明通过电机驱动第二齿轮与齿圈啮合传动，使得多个模具之间可以实现旋转，使得多个模具之间的位置可以交替切换，进而便于间断性注料操作，避免出现加工空挡，同时在模具交替更换位置时，可以通过冷却装置对模具进行水冷作业，加快成型速度，并且成型后，依靠旋转位置切换，使得第一齿轮和齿杆啮合传动，进而可以翻转模具进行自动脱模作业，使得本装置通过流动式注料，可以实现快速冷却和脱模一体化加工作业，减少加工时间，满足高效加工的作业。
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公开(公告)号：CN119411230A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411748571.3
申请日：2024-11-29
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种用于生长磷化铟晶体的坩埚，包括载体坩埚和金刚石涂覆层/涂敷体，所述金刚石涂覆层/涂敷体设置于所述载体坩埚的内表面，所述载体坩埚材质为石墨、石英、碳化硅或氮化硼中的任意一种，所述金刚石涂覆层或者所述金刚石涂敷体表面所设置的金刚石涂覆层的厚度未d，则0.5μm≤d≤100μm，将磷化铟多晶料置于所述坩埚内，再将坩埚放入高压反应釜中，设置好工艺参数，进行单晶生长，解决了现有技术中生长得到的磷化铟晶体内应力大，位错多，晶格也容易产生畸变的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119265708A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411392659.6
申请日：2024-09-30
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉晶体制备用冷却装置及其使用方法，包括安装支撑板，所述安装支撑板的前表面设有送料机构，所述安装支撑板前侧的一端设有冷却机构，所述送料机构包括移动轨道，所述移动轨道开设与安装支撑板的前表面上，所述移动轨道内侧的中部开设有限位腔，所述移动轨道的内侧滚动有移动齿轮，所述移动齿轮的一侧转动连接有移动板，所述移动齿轮另一侧的中部设有固定盘，所述固定盘一侧的外表面上均匀固定有四个导向柱块。本发明的有益效果是：便于循环向冷却舱里垂直推送碲化镉晶体，有利于提高送料的效果，便于阶梯式对碲化镉晶体进行降温冷却，有利于防止碲化镉晶体快速冷却表面出现较大的结构缺陷，提高碲化镉晶体冷却的效果。
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公开(公告)号：CN116463614A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310378493.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种闭路循环氟化物化学气相沉积高纯材料的方法及制备装置，属于半导体高纯材料制备技术领域，通过闭路循环氟化物减少化学气相沉积制备材料中氟元素尾气危害，无需氟元素尾气收集及处理，环境友好；同时本申请提纯效率高，适合绝大部分难熔金属提纯，及部分半导体过渡金属单质提纯；能够一步将粗纯度材料提纯至高纯度材料；本申请能够实现定量投料的目的，防止提纯材料堆放在反应釜内影响反应效果；通过提供给料仓一定的振幅，使料仓内提纯材料发生抖动，因而能够防止出现堵塞情况，提高料槽承接提纯材料的稳定性，避免提纯材料出现堆积造成投料盒出现堵塞情况，配合定量投料的应用，有利于提纯材料进行充分反应。
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公开(公告)号：CN116288669A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310279467.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种导模法生长氧化镓单晶的装置，包括铱发热体、铱坩埚和籽晶杆，所述铱坩埚内设有铱模具，所述籽晶杆的顶端设有旋转提拉组件和拉力传感器；铱发热体外侧的保温层设有第一通道，第一通道外侧设有激光器，激光器产生的激光聚焦在铱模具顶面的固液界面区域；铱坩埚底部设有旋转组件。本发明通过激光器对铱模具顶面的固液界面区域进行精准升温，同时配合旋转提拉组件和旋转组件分别驱动籽晶杆和铱坩埚同步匀速转动，使得激光器聚焦在铱模具顶面的光斑可以均匀作用于整个固液界面区域，使固液界面区域的受热更加均匀，从而做到及时精准调控模具出口的温度，避免了晶体宽度变窄甚至拉脱或拉起模具等现象。
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公开(公告)号：CN116287793A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310265223.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种从含铟物料中提取超高纯铟的方法，包括以下步骤：S1，将块状含铟物料破碎过筛；S2，将破碎后的含铟物料在酸溶液中浸出；S3，将酸浸液与锌片发生置换得到粗铟；S4，将粗铟进行真空蒸馏，除去粗铟中的低沸点杂质；S5，将真空蒸馏后的粗铟进行真空反蒸馏，除去粗铟中的高沸点杂质，得到4N精铟；S6，将精铟进行一次电解，得到铟锭；S7，将铟锭再次进行真空蒸馏，进一步除去铟锭中的低沸点杂质；S8，将真空蒸馏后的铟锭进行真空反蒸馏，进一步除去铟锭中的高沸点杂质；S9，将真空反蒸馏后的铟锭进行二次电解，得到6N及以上的超高纯铟。本发明整个制备的工艺流程较现有工艺更加简单，极大地降低了生产成本，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN117403183A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311272205.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种激光气相沉积制备高纯碲化镉的工艺及装置，工艺包括如下步骤：S1：将沉积设备中抽真空，达到预定的真空度，将高纯碲和高纯镉分别加热蒸发使碲蒸气和镉蒸汽流向沉积设备中；S2：将碲蒸汽和镉蒸汽与载气混合并流向至沉积基板处，激光照射沉积基板进行加热，使碲蒸汽和镉蒸汽受热在沉积基板表面发生化学反应生成碲化镉并沉积在沉积基板上；S3：未反应的碲蒸汽和镉蒸汽从排气口排出并密闭回收，回收后的碲和镉再次蒸发并进入沉积设备中，在激光系统的照射下发生化学反应生成碲化镉并沉积在沉积基板上。本发明大大降低了能耗和成本，提高了沉积效率，减少安全隐患的同时提高碲化镉的合成纯度，并提高原料的利用率，全程安全环保。
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