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公开(公告)号：CN116536768A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310778097.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于碲锌镉单晶生长的坩埚，包括：一级坩埚、以及二级坩埚；其中，一级坩埚具有容置空间；容置空间内设有二级坩埚、以及与二级坩埚连通的镉源；二级坩埚包括：第一内径部、以及第二内径部；第一内径部的内径大于第二内径部的内径，第一内径部与第二内径部之间形成有减径部。本发明的坩埚对镉源提供第一温度，使得气化的镉源能够平衡第二温度下碲锌镉多晶中镉的气化，从而维持正化学配比，实现无夹杂物单晶的生长；碲锌镉籽晶设置于二级坩埚的顶部，能够实现自上而下的定向单晶生长，又由于熔融状态下碲锌镉的密度小于碲锌镉固体的密度，因而单晶生长时，晶体与坩埚内壁相分离，以避免在坩埚的侧壁上形核，实现大单晶生长。
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公开(公告)号：CN116791190A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310812387.X
申请日：2023-07-04
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: C30B17/00
Abstract: 本发明公开了一种准闭管泡生法坩埚及其使用方法，包括：籽晶杆，籽晶杆的下端具有用于夹持籽晶的夹持部，籽晶杆的侧面沿其周向向外延伸形成液封槽；套筒，套筒套设于籽晶杆外，套筒的一端可操作地设置于液封槽内，套筒的内表面与籽晶杆的外表面之间具有第一间隙，第一间隙与液封槽连通，套筒能够相对于籽晶杆沿轴向方向运动；坩埚装置，坩埚装置具备一可操作地密闭的容置空间，籽晶杆的下端、液封槽、以及套筒的下端可操作地设置于容置空间内。本发明的液封设计兼顾开管法和闭管法的优点，能同时满足籽晶提拉的传动需求和组分蒸气压的控制需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118422311A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410360812.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种自动调温的碲锌镉单晶VGF生长装置及方法，包括：包括炉膛、设于炉膛内的坩埚，还包括：测温热偶机构，测温热偶机构包括多个测温热偶，驱动机构驱动多个测温热偶同步且匀速地向上或向下运动；多个测温热偶中至少包括第一测温热偶、第二测温热偶和第三测温热偶；第一测温热偶的测温部与第二测温热偶的测温部在竖直方向上具有间距，第二测温热偶的测温部与第三测温热偶的测温部在竖直方向上具有间距。本发明在长晶过程实现温度实时调控，实现长晶过程中实现调节，重复性好，能够保证以晶锭生长过程中头、中、尾均以恒定温度梯度实现长晶，能够确保长晶过程中以恒定的速度实现VGF长晶工艺。
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公开(公告)号：CN118087018A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410352923.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明提供一种基于两级温场的晶体生长装置，包括：晶体生长炉，具有生长腔室、夹层；第一加热组件，设置于夹层中，用于产生第一温度场；生长坩埚，设置于生长腔室内；第二加热组件，设置于生长腔室中，且第二加热组件围绕生长坩埚内的晶体生长界面设置，用于产生第二温度场；驱动组件，用于驱动第二加热组件沿水平方向和/或竖直方向运动。有益效果：通过设置第二加热组件，实现两级温场控制；第二加热组件具有水平方向移动的功能，可以调节温场方位角的均匀性；第二加热组件还具有竖直方向移动的功能，适用于变化的温场需求；大大降低对一级温场的精度要求，实现晶体生长界面的位置和形态的控制，从而提高单晶率和径向组分的均一性。
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公开(公告)号：CN116536768B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310778097.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于碲锌镉单晶生长的坩埚，包括：一级坩埚、以及二级坩埚；其中，一级坩埚具有容置空间；容置空间内设有二级坩埚、以及与二级坩埚连通的镉源；二级坩埚包括：第一内径部、以及第二内径部；第一内径部的内径大于第二内径部的内径，第一内径部与第二内径部之间形成有减径部。本发明的坩埚对镉源提供第一温度，使得气化的镉源能够平衡第二温度下碲锌镉多晶中镉的气化，从而维持正化学配比，实现无夹杂物单晶的生长；碲锌镉籽晶设置于二级坩埚的顶部，能够实现自上而下的定向单晶生长，又由于熔融状态下碲锌镉的密度小于碲锌镉固体的密度，因而单晶生长时，晶体与坩埚内壁相分离，以避免在坩埚的侧壁上形核，实现大单晶生长。
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公开(公告)号：CN222476838U
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202421864233.1
申请日：2024-08-02
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本实用新型属于碲锌镉单晶长晶工艺技术领域，具体涉及一种精确控制Cd源温度的长晶坩埚，它包括长晶坩埚本体，所述长晶坩埚本体的底部为内凹结构，内凹结构使长晶坩埚本体的内腔底部形成位于内凹结构两侧的容置腔一，所述容置腔一内填充有Cd源。本实用新型能够精确控制Cd源液面温度，避免不同设备或同一设备不同位置之间的差异，重复性方面完全可控，能够实现对碲锌镉夹杂物的精确控制。
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公开(公告)号：CN219581295U
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202320198927.5
申请日：2023-02-13
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种自动化学试剂清洗系统；包括：第一储液装置、第二储液装置、液泵、第三储液装置、供液管、待清洗件、虹吸管以及抽气装置；其中，第一储液装置的出液口以及第二储液装置的出液口分别与液泵的进液口连接，液泵的出液口与第三储液装置的进液口连接，第三储液装置的出液口与供液管的进液口连接，供液管的出液口以及虹吸管的进液口均位于待清洗件内，虹吸管上连接有抽气装置，虹吸管的出液口与第二储液装置的进液口连接；本实用新型通过升降装置与抽气装置的配合，使得虹吸管能通过虹吸原理将待清洗件中的酸液排回第二储液装置，或将待清洗件内的废液经废液排液管排出，无需人工倾倒，既提高了清洗效率又提高了安全系数。
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