本发明公开了一种制作三结太阳电池的方法及三结太阳电池，其中，制作三结太阳电池的方法包括以下步骤：首先GaSb电池以及InGaP子电池与GaAs子电池，采用外延生长技术在GaSb衬底上外延生长GaSb电池结构，采用倒置生长技术在GaAs衬底上一次外延出InGaP子电池、GaAs子电池结构；而后在两种外延片上，沉积ITO导电薄膜；之后对ITO导电薄膜表面进行抛光；而后将两种外延片进行键合；键合完成即可将GaAs衬底从外延层上剥离；而后进行芯片制作工艺，制作上下电机、减反射膜，并通过划片形成单体电池。本发明公开的制作三结太阳电池的方法具有制作良率高、成本低的优点，并且制成的电池可以对长波段的太阳光谱进行良好吸收的优点。