公开(公告)号：CN113066913A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110616418.5

申请日：2021-06-03

申请人： 南昌凯迅光电有限公司

发明人： 王苏杰 ,  林晓珊 ,  宁如光 ,  杨祺 ,  熊欢 ,  陈振宇 ,  吴礼清 ,  潘彬 ,  王向武 ,  张银桥

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片,所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极，所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触。本发明还公开了LED薄膜芯片的制备方法。本发明直接在N型粗化层上制备欧姆接触，有效简化了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片制备工艺，降低生产成本的同时解决了业界普遍采用n+‑GaAs作为欧姆接触层产生的吸光问题。