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公开(公告)号：CN112750922B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201911052075.3
申请日：2019-10-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，所述二极管包括外延片，所述外延片上表面蒸镀有ITO膜，所述ITO膜上设置有若干个发光区和刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P面电极，相邻P面电极之间绝缘隔开；所述刻蚀区表面沉积有绝缘层，所述外延片远离ITO膜的一侧端面上蒸镀有N面电极。本发明结构简单，步骤设计合理，制备得到的发光二极管能够单独使用，不需要与分划板配合工作，其自身就能够作为发出所需要的图形，在提高光源利用率的同时保证了结构简单、功耗低的优点；同时通过本技术方案制备得到二极管的发光图形具有可变性，能够根据反射瞄准镜与目标之间的距离进行发光图形的变换，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN111106215B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201811266029.9
申请日：2018-10-29
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 一种LED芯片电极的制备方法，在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层，此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。
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公开(公告)号：CN109148650B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710507203.3
申请日：2017-06-28
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法。该方法包括：将蒸镀垫片从蒸发台行星架上取下，在一定能量密度脉冲激光辐照下对垫片表面进行辐照处理，再经过去离子水超声清洗后进行热氮烘干，即可得到表面无划痕、颗粒物、氧化膜的垫片。本发明有效解决了蒸镀晶片上架时划伤、裂片、蒸镀掉片等异常问题，延长了垫片使用寿命，降低了产品成本。
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公开(公告)号：CN109148650A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710507203.3
申请日：2017-06-28
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/005
摘要： 本发明涉及一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法。该方法包括：将蒸镀垫片从蒸发台行星架上取下，在一定能量密度脉冲激光辐照下对垫片表面进行辐照处理，再经过去离子水超声清洗后进行热氮烘干，即可得到表面无划痕、颗粒物、氧化膜的垫片。本发明有效解决了蒸镀晶片上架时划伤、裂片、蒸镀掉片等异常问题，延长了垫片使用寿命，降低了产品成本。
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公开(公告)号：CN112750922A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911052075.3
申请日：2019-10-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，所述二极管包括外延片，所述外延片上表面蒸镀有ITO膜，所述ITO膜上设置有若干个发光区和刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P面电极，相邻P面电极之间绝缘隔开；所述刻蚀区表面沉积有绝缘层，所述外延片远离ITO膜的一侧端面上蒸镀有N面电极。本发明结构简单，步骤设计合理，制备得到的发光二极管能够单独使用，不需要与分划板配合工作，其自身就能够作为发出所需要的图形，在提高光源利用率的同时保证了结构简单、功耗低的优点；同时通过本技术方案制备得到二极管的发光图形具有可变性，能够根据反射瞄准镜与目标之间的距离进行发光图形的变换，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN109698262A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711010437.3
申请日：2017-10-24
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 一种LED芯片的电极制备方法，包括如下步骤：（1）在外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层；（2）在焊接层表面涂正性光刻胶，通过光刻得到正性光刻胶的电极图形；（3）对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀，然后烘烤LED芯片；（4）对缓冲层腐蚀，然后烘烤LED芯片；（5）对粘结层腐蚀；（6）去除正性光刻胶，得到LED芯片的电极。该方法通过腐蚀一层金属后再对正性光刻胶图形进行烘烤的方式，使下一层金属层图形大于上一层金属层，这样既保证电极结构的完整也确保粘结层大于焊接层，避免了焊线是压力过大导致掉电极的问题，提升了芯片的品质。
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公开(公告)号：CN108807612A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810665065.6
申请日：2018-06-26
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 一种发光二极管制备方法，包括如下步骤：a)采用MOCVD法生长发光二极管外延片；b)将窗口层与透明衬底键合处理；c)移除衬底，去除腐蚀阻挡层；d)在欧姆接触金属层上制备电极图形；e)对欧姆接触金属层进行合金处理；f)制成金属反射镜；g)刻蚀负电极区域；h)涂覆绝缘保护层；i)光刻出正电极通道和负电极通道；j)剥离制备出正电极和负电极；k)将透明衬底进行减薄处理，并将透明衬底的边缘进行倒斜角处理；l)将通过步骤a)‑步骤k)制得的发光二极管外延片进行切割、测试。在更换透明衬底的同时，制备内置金属反射镜，稳定性极大提升，提高了光提取效率，不会出现后期封装材料老化导致的吸光。绝缘保护层的利用可以做到正负电极同高，有效提升封装良率。
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公开(公告)号：CN106392785B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610863574.0
申请日：2016-09-29
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法。该磨刀方法选取的硅片的生产晶向与待切割的LED芯片的生长晶向一致，利用金属的记忆性及延展性，增强刀刃磨削时与切割物的匹配度，提高磨削质量；另外，本发明所述用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法，选取的硅片在磨刀作业前进行烘烤操作，释放了硅片自身的应力，避免磨刀过程中的崩裂，提高对刀刃的磨削效果；另一方面提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，减小蓝膜带来的形变应力影响。
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公开(公告)号：CN107068820A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710398203.4
申请日：2017-05-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78
摘要： 一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，包括如下步骤：a)利用锯片在LED芯片表面进行半切；b)对半切后的LED芯片进行烘烤；c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜；d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤；e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切；f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。借助加热器对芯片贴膜前进行烘烤，有效释放芯片自身应力，降低芯片自身的形变张力。同时通过对贴膜后的芯片连带蓝膜一起进行烘烤，提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，提高蓝膜的粘性。有效改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，作业简单且实效性高，有效解决掉管芯的问题，提高产品产出率。
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公开(公告)号：CN105957937A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610489614.X
申请日：2016-06-27
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/78 , H01L33/0062 , H01L33/30
摘要： 一种GaAs基发光二极管芯片及其切割方法，包括：1)制备GaAs基外延片的P电极和N电极；2)对步骤1)制备的GaAs基外延片进行N面切割，形成切割道，所述切割道周期与P电极周期一致，且所述切割道与所述P电极的外围边缘重合；所述N面是指所述GaAs基外延片具有N电极的背面；所述P面是指所述GaAs基外延片具有P电极的正面；3)将GaAs基外延片按照切割道劈裂：GaAs基外延片N面朝下、P面朝上放置于劈裂机劈裂。本发明通过先N面切割再采用劈裂的方法将GaAs基发光二极管芯片分割开，减少了P面出光面的损耗，大大增加了出光面积，提升了芯片的品质，提升了产品的合格率，并能进行规模化生产。
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