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公开(公告)号：CN109473510A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811023086.4
申请日：2018-09-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/455 , B41J2/44 , G03G15/04 , G03G15/04036 , H01L33/0016 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/30
Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。
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公开(公告)号：CN102891230B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201210230065.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/156 , H01L33/0016 , H01L33/10 , H01L33/40
Abstract: 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法。提供了一种发光器件，包括：第一导电类型的半导体基板；第一导电类型的半导体多层反射镜，形成在半导体基板上；第一导电类型的第一半导体层，形成在半导体多层反射镜上；第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；第一导电类型的第三半导体层，形成在第二半导体层上；第二导电类型的第四半导体层，形成在第三半导体层上；第一电极，形成在半导体基板的背面；以及第二电极，形成在第四半导体层上，其中，所述半导体多层反射镜包括被选择性地氧化的第一氧化区和与所述第一氧化区相邻的第一导电区，并且所述第一导电区电连接所述半导体基板和所述第一半导体层。
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公开(公告)号：CN102754227B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180006581.4
申请日：2011-01-21
Applicant: 因西亚瓦(控股)有限公司
Inventor： P·J·温特尔
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/0016
Abstract: 发光器件（10）包括主体（11），主体（11）包括p型半导体材料的衬底（12）。衬底具有上表面（14），并且根据体半导体制造工艺利用横向有源区隔离技术在该上表面的一侧在衬底中形成有：n+型类的第一岛（16），以在第一岛和衬底之间形成第一结（24）；与第一岛（16）横向间隔开的n+型的第二岛（18）。衬底提供在两个岛之间横向延伸且具有上表面的链路（20）。链路的上表面、岛（16）的上表面以及岛（18）的上表面共同形成位于主体（11）和器件的隔离层（19）之间的平面界面（21）。该器件包括端子布置，以向第一结施加反向偏置，从而使器件发光。该器件被配置为有助于所发射的光的传输。
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公开(公告)号：CN102969421A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210102366.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/04054 , B41J2/45 , H01L33/0016 , H01L33/145
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件阵列、光写头、及图像形成设备。所述发光元件包括半导体衬底和形成在该半导体衬底上的岛结构。所述岛结构包括发光单元晶闸管和电流限制结构。所述发光单元晶闸管包括具有pnpn结构的堆叠的多个半导体层。所述电流限制结构包括高阻区和导电区，并限制所述导电区中的载流子。
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公开(公告)号：CN102891230A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210230065.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/156 , H01L33/0016 , H01L33/10 , H01L33/40
Abstract: 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法。提供了一种发光器件，包括：第一导电类型的半导体基板；第一导电类型的半导体多层反射镜，形成在半导体基板上；第一导电类型的第一半导体层，形成在半导体多层反射镜上；第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；第一导电类型的第三半导体层，形成在第二半导体层上；第二导电类型的第四半导体层，形成在第三半导体层上；第一电极，形成在半导体基板的背面；以及第二电极，形成在第四半导体层上，其中，所述半导体多层反射镜包括被选择性地氧化的第一氧化区和与所述第一氧化区相邻的第一导电区，并且所述第一导电区电连接所述半导体基板和所述第一半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468319A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110127384.X
申请日：2011-05-17
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/62 , G03G15/043
CPC classification number: G03G15/04036 , G03G15/04054 , G03G15/326 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/0016
Abstract: 本发明提供了发光芯片、发光装置、打印头及图像形成设备。其中发光芯片包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，该发光区域在该排列的排列方向上的长度与在垂直于该排列方向的方向上的长度不同；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的排列方向或垂直于排列方向中较短的方向设置在该发光区域上，每个连接部分均连接至发光区域上设置的电极，点亮信号供给互连通过多个连接部分给多个发光元件提供用于进行点亮的电流。
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公开(公告)号：CN101855736B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880115897.5
申请日：2008-10-08
Applicant: 因西亚瓦(控股)有限公司
Inventor： M·杜普莱希斯
CPC classification number: H01L33/34 , H01L27/15 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/54
Abstract: 一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的第一主体(12)。在该主体内的第一结区域(18)形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间。在该主体内的第二结区域(20)形成在该主体的第二区域和该主体的第一掺杂类型的第三区域之间。所述第一和第二结区域彼此间隔开不超出少数载流子扩散长度。将端子布置连接到该主体的第一、第二和第三区域，以在使用时用于将第一结区域反向偏置为雪崩或场发射模式，和用于将第二结区域正向偏置以将载流子注入到第一结区域中。隔离材料的第二主体(22)位置紧邻所述第三区域的至少一个壁，从而减少来自所述第三区域的寄生注入。
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公开(公告)号：CN1358334A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800021.5
申请日：2001-01-11
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/153 , H01L33/0016
Abstract: 用其他元件实现与发光闸流晶体管同样的功能,降低发光元件矩阵阵列的成本。将由晶体管和发光二极管构成的多个组合元件排列成直线状,组成矩阵。将多个组合元件每n个分成一组,将各组的晶体管的基极分别连接在基极选择线上,将各组中的发光二极管的阳极在各组中分别连接在公用的阳极端子上。
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公开(公告)号：CN108550664A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810285397.1
申请日：2018-04-02
CPC classification number: H01L33/0016 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30
Abstract: 一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构及其制作方法，所述外延结构从下向上依次为：N型GaAs衬底层、N型GaAs缓冲层、P型GaAs外延层、N型GaAs外延层、N型AlInP限制层、MQW量子阱发光层、P型AlInP限制层和P型GaP窗口层。其制作方法包括（1）提供GaAs衬底并清洗；（2）生长P-GaAs外延层；（3）生长N-GaAs外延层；（4）生长N-GaAs外延层；（5）生长N-AlInP外延层；（6）生长MQW发光层；（7）生长P-AlInP外延层；（8）生长P-GaP外延层。本发明通过利用反向NP结形成发光MQW量子阱发光层和衬底材料的电性隔离，同时设计了较薄的P型GaP扩展层，有利于实现LED微显示矩阵的寻址电路，并防止了对发光单元的进行切割隔离时的单元像素的损伤、脱落，保持LED微显示阵列的完整。
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公开(公告)号：CN107731967A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710891443.8
申请日：2017-09-27
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Inventor： 贾钊
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0016 , H01L33/005
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，包括：第一衬底，并排设置于所述第一衬底的同一面的第一PN结和第二PN结，所述第一PN结和所述第二PN结之间的间隔处设置有绝缘层；所述第一PN结的N型层朝向所述第一衬底，所述第二PN结的P型层朝向所述第一衬底；所述第一衬底的背向所述第一PN结和所述第二PN结的一面设置有第一电极；所述第一PN结和所述第二PN结之上设置有连接所述第一PN结的P型层和所述第二PN结合的N型层的透明导电层，所述透明导电层之上设置有第二电极。
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