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公开(公告)号：CN1214297C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01110502.X
申请日：2001-04-06
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: B41J2/451 , H01L27/153 , H01L33/58 , H01L2224/05553 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/12041 , H01L2924/1301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在一种写光头中，一个杆状透镜阵列，一个用于支撑一个基片的基片支撑部件，和一个驱动电路板都是由一个支撑部件固定地保持的。支撑部件和基片支撑部件都是由金属材料制造的，而杆状透镜阵列的框是由玻璃板制造的。还有，依靠转动偏心圆销子，来调整光-发射元件阵列的光-发射部分与杆状透镜阵列的光-入射端面之间的距离。还有，光-发射阵列芯片被印模粘结到一个已经粘结在支撑部件上预定位置的基片上，同时基片支撑部件位置被采用作为基准面。
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公开(公告)号：CN1164430C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01800023.1
申请日：2001-01-22
Applicant: 日本板硝子株式会社
Abstract: 提供一种在排列了具有在低电流区发光效率低的I-L特性的发光闸流晶体管的阵列中，不降低发光效率，获得规定的曝光能量的光量设定方法。为了获得规定的曝光能量，在将相当于电流密度为50MA/m2的电流值的I-L特性曲线的切线与电流轴的切点处的电流值所相当的电流密度定义为发光阈电流密度Dth的情况下，使流过发光闸流晶体管的电流密度D在3×Dth＜D＜100MA/m2的范围内。
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公开(公告)号：CN1322574C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN00801498.1
申请日：2000-07-25
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , H01L2224/48463 , H01L2924/10156
Abstract: 提供一种在切割区中设置的槽的结构及其应用，该结构是在从半导体晶片切割芯片时在半导体切割区中设置的槽的结构，其特征在于：该槽的结构具有两条平行槽，每个槽至少在一个地方包含没有形成槽的部分；上述没有形成槽的部分沿上述槽方向的长度为10～100微米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1358334A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800021.5
申请日：2001-01-11
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/153 , H01L33/0016
Abstract: 用其他元件实现与发光闸流晶体管同样的功能,降低发光元件矩阵阵列的成本。将由晶体管和发光二极管构成的多个组合元件排列成直线状,组成矩阵。将多个组合元件每n个分成一组,将各组的晶体管的基极分别连接在基极选择线上,将各组中的发光二极管的阳极在各组中分别连接在公用的阳极端子上。
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公开(公告)号：CN1318206A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN00801498.1
申请日：2000-07-25
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , H01L2224/48463 , H01L2924/10156
Abstract: 提供一种防止切割表面被硬质保护膜覆盖的半导体晶片时发生的保护膜剥离的切割方法。通过刻蚀在GaAs衬底的芯片周边部的切割区中形成两条平行的槽。其次，在半导体衬底的表面上形成SiO2膜作为表面保护膜。这时，在槽内表面上的保护膜和在衬底表面上的保护膜的边界上形成折弯部。使用刀片切割两条槽的中央。这时在切割刀片的边缘上发生的对保护膜的应力集中在折弯部上，沿折弯部产生裂纹。
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公开(公告)号：CN1358335A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800022.3
申请日：2001-01-30
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/0016
Abstract: 在下述的发光闸流晶体管矩阵阵列中,即,将以基板为公用阴极的三端子发光闸流晶体管的阵列分成以每n(n为2以上的整数)个发光闸流晶体管为一块,将各块内的n个发光闸流晶体管的栅极与分别独立的n条栅选择线连接,而且将各块内的n个发光闸流晶体管的阳极连接在公用的电极上的发光闸流晶体管矩阵阵列中,提供一种使布线不会发生导电性连接地相交叉的结构。
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公开(公告)号：CN1358138A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800023.1
申请日：2001-01-22
Applicant: 日本板硝子株式会社
Abstract: 提供一种在排列了具有在低电流区发光效率低的I－L特性的发光闸流晶体管的阵列中,不降低发光效率,获得规定的曝光能量的光量设定方法。为了获得规定的曝光能量,在将相当于电流密度为50MA/m2的电流值的I－L特性曲线的切线与电流轴的切点处的电流值所相当的电流密度定义为发光阈电流密度Dth的情况下,使流过发光闸流晶体管的电流密度D在3×Dth
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公开(公告)号：CN1320841A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01110502.X
申请日：2001-04-06
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: B41J2/451 , H01L27/153 , H01L33/58 , H01L2224/05553 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/12041 , H01L2924/1301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在一种写光头中,一个杆状透镜阵列,一个用于支撑一个基片的基片支撑部件,和一个驱动电路板都是由一个支撑部件固定地保持的。支撑部件和基片支撑部件都是由金属材料制造的,而杆状透镜阵列的侧板是由玻璃板制造的。还有,依靠转动偏心圆销子,来调整光－发射元件阵列的光－发射部分与杆状透镜阵列的光－入射端面之间的距离。还有,光－发射阵列芯片被印模粘结到一个已经粘结在支撑部件上预定位置的基片上,同时基片支撑部件位置被采用作为基准面。
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