公开(公告)号：CN101855736A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115897.5

申请日：2008-10-08

Applicant: 因西亚瓦(控股)有限公司

Inventor： M·杜普莱希斯

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/54

Abstract: 一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的第一主体(12)。在该主体内的第一结区域(18)形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间。在该主体内的第二结区域(20)形成在该主体的第二区域和该主体的第一掺杂类型的第三区域之间。所述第一和第二结区域彼此间隔开不超出少数载流子扩散长度。将端子布置连接到该主体的第一、第二和第三区域，以在使用时用于将第一结区域反向偏置为雪崩或场发射模式，和用于将第二结区域正向偏置以将载流子注入到第一结区域中。隔离材料的第二主体(22)位置紧邻所述第三区域的至少一个壁，从而减少来自所述第三区域的寄生注入。

公开(公告)号：CN101855736B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200880115897.5

申请日：2008-10-08

Applicant: 因西亚瓦(控股)有限公司

Inventor： M·杜普莱希斯

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/54

Abstract: 一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的第一主体(12)。在该主体内的第一结区域(18)形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间。在该主体内的第二结区域(20)形成在该主体的第二区域和该主体的第一掺杂类型的第三区域之间。所述第一和第二结区域彼此间隔开不超出少数载流子扩散长度。将端子布置连接到该主体的第一、第二和第三区域，以在使用时用于将第一结区域反向偏置为雪崩或场发射模式，和用于将第二结区域正向偏置以将载流子注入到第一结区域中。隔离材料的第二主体(22)位置紧邻所述第三区域的至少一个壁，从而减少来自所述第三区域的寄生注入。