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公开(公告)号：CN102969421B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201210102366.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/04054 , B41J2/45 , H01L33/0016 , H01L33/145
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件阵列、光写头、及图像形成设备。所述发光元件包括半导体衬底和形成在该半导体衬底上的岛结构。所述岛结构包括发光单元晶闸管和电流限制结构。所述发光单元晶闸管包括具有pnpn结构的堆叠的多个半导体层。所述电流限制结构包括高阻区和导电区，并限制所述导电区中的载流子。
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公开(公告)号：CN106466185A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610647789.9
申请日：2016-08-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: A61B5/1455
CPC classification number: A61B3/117 , A61B3/0041 , A61B3/0083 , A61B3/0091 , A61B3/10 , A61B5/14532 , A61B5/1459 , A61B5/6821 , A61B17/0231 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了一种光学测量装置及光照射接收方法，所述光学测量装置包括：发射单元，以横穿被检测者的眼球的前房的方式发射光；光接收单元，接收横穿过所述前房的光；以及定位单元，在所述眼球内收的状态下从所述发射单元发射的光横穿所述前房而由所述光接收单元接收的位置上，对该发射单元及该光接收单元定位。
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公开(公告)号：CN105914581B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510648476.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
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公开(公告)号：CN105914581A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510648476.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G02B26/10 , G02B19/0052 , H01S5/02212 , H01S5/02284 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2009 , H01S5/343 , H04B10/503
Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
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公开(公告)号：CN105814435B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201580003067.3
申请日：2015-03-19
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: G01N21/21
Abstract: 数据处理单元(30)获得与多个波长λ1，λ2，λ3，…对应的旋光度αM1，αM2，αM3，…，并用非线性最小二乘法根据获得的成对的旋光度和波长(λ1：αM1，λ2：αM2：λ3：αM3，…)以及公式计算第一光学活性物质的浓度C，该公式用第一非线性函数和第二非线性函数的总和表示，第一非线性函数表示第一光学活性物质的旋光色散，第二非线性函数包括用于限定第二光学活性物质的旋光色散特性的固有值作为未知值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105873497B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201580003120.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: A61B3/117
CPC classification number: A61B3/117 , A61B3/0025 , A61B3/0041 , A61B3/14 , A61B5/14532 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了光学测量仪器(1)，该光学测量仪器(1)设置有用于测量测量对象的眼睛(10)的前房(13)中的房水的特性的光学系统(20)以及保持光学系统(20)等的保持单元50，并且光学系统(20)设置有发光系统(20A)和光接收系统(20B)。光路(28)被以如下方式设置：当眼睛(10)向外转动时，离开发光系统(20A)的光以横穿前房(13)的方式通过前房(13)，并且可以被光接收系统(20B)接收到。
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公开(公告)号：CN105873497A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580003120.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: A61B3/117
CPC classification number: A61B3/117 , A61B3/0025 , A61B3/0041 , A61B3/14 , A61B5/14532 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了光学测量仪器(1)，该光学测量仪器(1)设置有用于测量测量对象的眼睛(10)的前房(13)中的房水的特性的光学系统(20)以及保持光学系统(20)等的保持单元50，并且光学系统(20)设置有发光系统(20A)和光接收系统(20B)。光路(28)被以如下方式设置：当眼睛(10)向外转动时，离开发光系统(20A)的光以横穿前房(13)的方式通过前房(13)，并且可以被光接收系统(20B)接收到。
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公开(公告)号：CN106505409A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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公开(公告)号：CN106442217A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610520509.8
申请日：2016-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: A61B3/0025 , A61B3/0008 , A61B3/117 , A61B5/14507 , A61B5/14532 , A61B5/14558 , A61B5/6821 , A61M5/1723 , G01N21/21 , G01N2201/06113 , G01N2201/062 , G01N2201/0683 , G01N9/24 , G01N9/36
Abstract: 本发明的目的是与不考虑由角膜产生的影响的情况相比，高精度地测定眼房水中含有的光学活性物质的浓度。光学活性物质的浓度计算系统具备浓度计算部，其针对不同波长的光的每一种而获取由从入射侧角膜、前眼房的眼房水及出射侧角膜通过所引起的偏光状态的变化量，通过基于包含表示入射侧角膜及出射侧角膜的偏光特性的矩阵和表示眼房水的偏光特性的矩阵在内的、表示偏光状态的变化量的波长依存性的逻辑表达式的最小二乘法，对眼房水中含有的特定的光学活性物质的浓度进行计算，表示眼房水的偏光特性的矩阵，由表示特定的光学活性物质的旋光度的波长依存性的数学式的函数表示，该数学式包含特定的光学活性物质的浓度值作为未知数或者假设的已知数。
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公开(公告)号：CN105814435A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201580003067.3
申请日：2015-03-19
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: G01N21/21
CPC classification number: G01N21/21 , G01N21/31 , G01N33/492 , G01N2021/3129
Abstract: 数据处理单元(30)获得与多个波长λ1，λ2，λ3，…对应的旋光度αM1，αM2，αM3，…，并用非线性最小二乘法根据获得的成对的旋光度和波长(λ1：αM1，λ2：αM2：λ3：αM3，…)以及公式计算第一光学活性物质的浓度C，该公式用第一非线性函数和第二非线性函数的总和表示，第一非线性函数表示第一光学活性物质的旋光色散，第二非线性函数包括用于限定第二光学活性物质的旋光色散特性的固有值作为未知值。
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