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公开(公告)号：CN111834888A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010229206.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 富士施乐株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 提供半导体光放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大器具备：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板面并沿预先决定的方向延伸而形成的导电区域、以及形成在所述导电区域的周围的非导电区域，该光放大部将从所述光源部沿所述预先决定的方向传播的传播光放大，并将放大后的所述传播光朝向与所述基板面交叉的出射方向射出。所述导电区域在从与所述基板面垂直的方向观察的情况下，具有第1区域和第2区域，该第1区域从所述光源部以预先决定的宽度延伸，该第2区域与所述第1区域连续，并且该第2区域被扩宽了所述预先决定的宽度，使所述传播光在与所述预先决定的方向交叉的方向上扩展。
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公开(公告)号：CN107611771A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710433525.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/2214 , H01S5/0264 , H01S5/0282 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/2063
Abstract: 本发明涉及一种光发射器件，其包括：第一台面结构，其包括光发射部分；第二台面结构，其通过共用的半导体层与第一台面结构连接，并且第二台面结构包括光接收部分，光接收部分接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光；检测器，其检测由光接收部分接收的光的量；以及氧化物限制层，其形成在第一台面结构和第二台面结构上，并且包括氧化区域和非氧化区域。
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公开(公告)号：CN107518904A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710451620.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: A61B5/1455
CPC classification number: A61B3/117 , A61B3/0016 , A61B3/0075 , A61B3/10 , A61B3/102 , G02F1/01 , A61B5/1455 , A61B5/14532
Abstract: 本发明涉及一种用于眼球的光学测量装置，该光学测量装置包括：光反射单元，其沿使光穿越眼球的前房的方向反射光；以及切换单元，其对光入射到光反射单元的入射位置进行切换，从而避免光从光穿越前房的状态移动。
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公开(公告)号：CN106532432B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610769421.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/2081 , H01S5/34313 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供了一种制造面发光型半导体激光元件的方法，该方法包括：第一工序：在衬底上形成半导体层，该半导体层包括第一导电类型的第一半导体多层反射镜、第一半导体多层反射镜上的粗糙表面形成层、粗糙表面形成层上的有源区、有源区上的第二导电类型的第二半导体多层反射镜、以及与有源区相邻的电流限制层；第二工序：蚀刻半导体层直至粗糙表面形成层被露出，从而形成半导体层的平台结构；第三工序：对包括电流限制层和暴露于所述平台结构的周围的粗糙表面形成层的区域进行氧化；第四工序：对包括氧化的粗糙表面形成层的区域进行酸处理，从而形成粗糙表面区；和第五工序：在包括粗糙表面区的区域上形成绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106532432A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610769421.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/2081 , H01S5/34313 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S5/18361
Abstract: 本发明提供了一种制造面发光型半导体激光元件的方法，该方法包括：第一工序：在衬底上形成半导体层，该半导体层包括第一导电类型的第一半导体多层反射镜、第一半导体多层反射镜上的粗糙表面形成层、粗糙表面形成层上的有源区、有源区上的第二导电类型的第二半导体多层反射镜、以及与有源区相邻的电流限制层；第二工序：蚀刻半导体层直至粗糙表面形成层被露出，从而形成半导体层的平台结构；第三工序：对包括电流限制层和暴露于所述平台结构的周围的粗糙表面形成层的区域进行氧化；第四工序：对包括氧化的粗糙表面形成层的区域进行酸处理，从而形成粗糙表面区；和第五工序：在包括粗糙表面区的区域上形成绝缘膜。
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公开(公告)号：CN107785777B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710432803.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。
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公开(公告)号：CN106505409B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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公开(公告)号：CN108075357A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711094876.7
申请日：2017-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 发光元件阵列和光传输装置。一种发光元件阵列包括通过连接至供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。各个发光元件被设置在沿着从端子流过布线的电流的路径的预定路径长度的位置处。所述多个发光元件按照混合的形式包括各自具有未遮蔽的光发射孔径的一个或更多个第一发光元件以及各自具有遮蔽的光发射孔径的一个或更多个第二发光元件。第一发光元件中的至少一个被设置在最长路径长度的位置处。第二发光元件中的至少一个被设置在最短路径长度的位置处。
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