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公开(公告)号：CN107611771A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710433525.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/2214 , H01S5/0264 , H01S5/0282 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/2063
Abstract: 本发明涉及一种光发射器件，其包括：第一台面结构，其包括光发射部分；第二台面结构，其通过共用的半导体层与第一台面结构连接，并且第二台面结构包括光接收部分，光接收部分接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光；检测器，其检测由光接收部分接收的光的量；以及氧化物限制层，其形成在第一台面结构和第二台面结构上，并且包括氧化区域和非氧化区域。
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公开(公告)号：CN106532432B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610769421.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/2081 , H01S5/34313 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供了一种制造面发光型半导体激光元件的方法，该方法包括：第一工序：在衬底上形成半导体层，该半导体层包括第一导电类型的第一半导体多层反射镜、第一半导体多层反射镜上的粗糙表面形成层、粗糙表面形成层上的有源区、有源区上的第二导电类型的第二半导体多层反射镜、以及与有源区相邻的电流限制层；第二工序：蚀刻半导体层直至粗糙表面形成层被露出，从而形成半导体层的平台结构；第三工序：对包括电流限制层和暴露于所述平台结构的周围的粗糙表面形成层的区域进行氧化；第四工序：对包括氧化的粗糙表面形成层的区域进行酸处理，从而形成粗糙表面区；和第五工序：在包括粗糙表面区的区域上形成绝缘膜。
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公开(公告)号：CN106532432A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610769421.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/2081 , H01S5/34313 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S5/18361
Abstract: 本发明提供了一种制造面发光型半导体激光元件的方法，该方法包括：第一工序：在衬底上形成半导体层，该半导体层包括第一导电类型的第一半导体多层反射镜、第一半导体多层反射镜上的粗糙表面形成层、粗糙表面形成层上的有源区、有源区上的第二导电类型的第二半导体多层反射镜、以及与有源区相邻的电流限制层；第二工序：蚀刻半导体层直至粗糙表面形成层被露出，从而形成半导体层的平台结构；第三工序：对包括电流限制层和暴露于所述平台结构的周围的粗糙表面形成层的区域进行氧化；第四工序：对包括氧化的粗糙表面形成层的区域进行酸处理，从而形成粗糙表面区；和第五工序：在包括粗糙表面区的区域上形成绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101154792B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710107736.9
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/4075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供表面发射型半导体阵列装置。该表面发射型半导体阵列装置包括：基板；多个发光部；电极焊盘部，其形成在所述基板上并通过一分隔沟而与所述多个发光部隔开，并且具有形成在一绝缘膜上的多个电极焊盘；以及多个金属配线，用于经过所述分隔沟将所述多个发光部中的相应发光部连接到对应的电极焊盘，其中，所述分隔沟在所述基板上形成有波浪形的侧壁。
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公开(公告)号：CN107785777B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710432803.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106505409B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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公开(公告)号：CN106505410A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791440.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
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公开(公告)号：CN106505409A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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公开(公告)号：CN1251371C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03153544.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3201 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器及其制造方法，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。
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