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公开(公告)号：CN106449898A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610663632.5
申请日：2016-08-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 须贺贵子
Abstract: 本发明涉及一种发光装置及其控制方法和光学相干断层成像设备。发光装置、特别是超辐射发光二极管包括设置在用于向有源层注入电流的上电极和下电极之间的该有源层。有源层用作光波导并且具有用于发射光的第一端面和第二端面。发光装置还包括第一光接收部、第二光接收部以及控制部，其中该第一光接收部和第二光接收部分别用于接收从第一端面和第二端面发射出的光，并且分别生成第一光学信息和第二光学信息，该控制部用于根据第一光学信息和第二光学信息对从上电极至有源层的电流注入量进行控制。可以在短时间段内容易、精确且可靠地控制发光装置的光学输出和谱形状。
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公开(公告)号：CN118731913A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410349098.5
申请日：2024-03-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01S7/484 , B60W30/095 , B60W50/14 , B60W30/09 , G02B27/00 , G01S17/10 , G01S17/931
Abstract: 本公开涉及光发射设备、测距设备、以及可移动物体。光发射设备包括：第一半导体光发射元件，包括在半导体基板之上的第一活性层和第一谐振器部分，并且发射第一光；第二半导体光发射元件，包括在所述第一半导体光发射元件之上依次堆叠的第一反射器、第二谐振器部分、以及第二反射器，并且发射第二光，所述第二谐振器部分包括由所述第一光激发的第二活性层，其中所述第二半导体光发射元件的振荡波长比所述第一半导体光发射元件的振荡波长长，其中所述第二半导体光发射元件包括所述第二谐振器部分与所述第二反射器之间的可饱和吸收层，并且其中所述第二活性层的厚度L和吸收系数α满足以下不等式：3.45≤α×L≤15。
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公开(公告)号：CN114175281B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202080054210.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种发光元件，该发光元件具有：第一有源层，通过注入电流来发射具有第一波长的光；第二有源层，通过吸收具有第一波长的光来发射具有不同于第一波长的第二波长的光；以及第一反射镜，在第一反射镜处具有第一波长的光的反射率大于具有第二波长的光的反射率，其中，第一反射镜被部署在比第一有源层和第二有源层靠近发射端的位置处，由第一有源层或第二有源层发射的光从发射端投射到外部。
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公开(公告)号：CN118825777A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410467251.4
申请日：2024-04-18
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种发光装置，包括：第一发光单元和第二发光单元；以及第一驱动布线和第二驱动布线，第一驱动布线被构造为驱动第一发光单元，第二驱动布线被构造为驱动第二发光单元。具有台面结构的多个发光元件布置在第一发光单元和第二发光单元中。第一驱动布线与第一发光单元中的台面结构的上表面电接触。第一驱动布线在第二发光单元中的台面结构的上表面上方延伸。第二发光单元中的台面结构的上表面和第一驱动布线通过绝缘膜电绝缘。
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公开(公告)号：CN111668350B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010137778.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本公开涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括层状结构，所述层状结构在半导体基板上按顺序具有半导体DBR层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、第三半导体层和第二导电类型的第四半导体层，所述第三半导体层具有第一导电类型的至少一个第五半导体层和多量子阱结构，所述第五半导体层存在于第二半导体层和多量子阱结构之间，所述多量子阱结构由势垒层和量子阱层形成，并且所述量子阱层的数量大于或等于10。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668350A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010137778.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本公开涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括层状结构，所述层状结构在半导体基板上按顺序具有半导体DBR层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、第三半导体层和第二导电类型的第四半导体层，所述第三半导体层具有第一导电类型的至少一个第五半导体层和多量子阱结构，所述第五半导体层存在于第二半导体层和多量子阱结构之间，所述多量子阱结构由势垒层和量子阱层形成，并且所述量子阱层的数量大于或等于10。
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公开(公告)号：CN117321868A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035764.7
申请日：2022-05-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 提供了一种能够产生具有短光脉冲宽度和高峰值的光脉冲的发光装置。该发光装置具有半导体发光元件，所述半导体发光元件是通过将第一反射镜、包括活性层的谐振器间隔部和第二反射镜按所陈述的顺序堆叠在半导体基板上而获得的。所述半导体发光元件包括在半导体基板和第二反射镜之间的可饱和吸收层。此外，所述半导体发光元件被配置为出射具有如下轮廓的光，该轮廓具有最大峰值并且在所述最大峰值之后收敛到作为预定光强度的稳定值。
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公开(公告)号：CN116387978A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211711928.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供半导体发光元件、发光设备和测距设备。所述半导体发光元件具有依次堆叠有基板、第一反射器、包括活性层的谐振器腔、第二反射器和透明导电膜的结构，所述半导体发光元件包括：第一电流狭窄部分，其由氧化狭窄层构造；以及第二电流狭窄部分，其由绝缘膜以及所述透明导电膜与半导体层之间的接触部分构造，所述绝缘膜形成在所述第二反射器的上表面并具有开口，所述半导体层与所述透明导电膜接触，其中，所述第二电流狭窄部分的宽度d2小于所述第一电流狭窄部分的宽度d1。
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公开(公告)号：CN109473510B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811023086.4
申请日：2018-09-04
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。
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公开(公告)号：CN114175281A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054210.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种发光元件，该发光元件具有：第一有源层，通过注入电流来发射具有第一波长的光；第二有源层，通过吸收具有第一波长的光来发射具有不同于第一波长的第二波长的光；以及第一反射镜，在第一反射镜处具有第一波长的光的反射率大于具有第二波长的光的反射率，其中，第一反射镜被部署在比第一有源层和第二有源层靠近发射端的位置处，由第一有源层或第二有源层发射的光从发射端投射到外部。
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