公开(公告)号：CN108550664A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810285397.1

申请日：2018-04-02

Applicant: 万金平 ,  于天宝

Inventor： 万金平 ,  于天宝

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/0016 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/30

Abstract: 一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构及其制作方法，所述外延结构从下向上依次为：N型GaAs衬底层、N型GaAs缓冲层、P型GaAs外延层、N型GaAs外延层、N型AlInP限制层、MQW量子阱发光层、P型AlInP限制层和P型GaP窗口层。其制作方法包括（1）提供GaAs衬底并清洗；（2）生长P-GaAs外延层；（3）生长N-GaAs外延层；（4）生长N-GaAs外延层；（5）生长N-AlInP外延层；（6）生长MQW发光层；（7）生长P-AlInP外延层；（8）生长P-GaP外延层。本发明通过利用反向NP结形成发光MQW量子阱发光层和衬底材料的电性隔离，同时设计了较薄的P型GaP扩展层，有利于实现LED微显示矩阵的寻址电路，并防止了对发光单元的进行切割隔离时的单元像素的损伤、脱落，保持LED微显示阵列的完整。

公开(公告)号：CN108538876A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810374340.9

申请日：2018-04-24

Applicant: 万金平 ,  于天宝

Inventor： 万金平 ,  于天宝 ,  高洪新 ,  刘芳娇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  G02B27/01

Abstract: 一种光学透射式AR眼镜显示芯片及其制作方法，在蓝宝石基板上生长LED发光层的蓝光或绿光LED外延片上，按所设计的象素单元尺寸进行P外延层的刻蚀，形成PN结独立的LED像素；继续向下刻蚀外延结构N型外延层，实现LED显示芯片内的行与行之间电性隔离沟道；在行与行隔离沟道中进行隐型切割，形成激光束方向上的变质区。在LED外延片表面沉淀一层二氧化硅或氮化硅绝缘隔膜，再在绝缘隔膜的每一发光像素顶部位置处加工一通孔。蒸镀ITO层并形成ITO导电线条；提升ITO的透光率并实现ITO薄膜在通孔处与P型LED外延层形成欧姆接触；在芯片的每行及每列的两端制作Cr/Pt/Au/In复合金属接触端点，研磨、切割后与外部控制电路端点进行精密对准和倒装共晶焊接，形成应用的LED显示芯片。