公开(公告)号：CN102318094A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008005.9

申请日：2010-01-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 竹内良一 ,  松村笃 ,  舛谷享祐

IPC: H01L33/64 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/641 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是提供散热性优异，能够抑制接合时的基板的开裂，施加高电压能够以高辉度发光的发光二极管、发光二极管灯以及发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管是在包含发光层(2)的发光部(3)接合了热沉基板(5)的发光二极管(1)，热沉基板(5)是第1金属层(21)和第2金属层(22)交替地层叠而成，第1金属层(21)由热导率为130W/m·K以上、热膨胀系数与发光部(3)的材料大致相等的材料形成，第2金属层(22)由热导率为230W/m·K以上的材料形成，通过使用该发光二极管(1)能够达到所述目的。

公开(公告)号：CN101490858A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780008849.1

申请日：2007-02-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 舛谷享祐

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光二极管(10)具有主光提取表面并包括具有半导体层(130至135)的化合物半导体层(13)、在所述化合物半导体层中包含的发光部分(12)、在所述发光部分中包含的发光层(133)、被接合到所述化合物半导体层的透明衬底(14)、以及在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上形成的极性相反的第一和第二电极(15、16)。在通过去除所述半导体层(132至134)而暴露的化合物半导体层的一部分上的位置处形成所述第二电极，并且所述第二电极具有由所述半导体层包围的其周边。所述主光提取表面具有最大宽度为0.8mm或更大的外部形状。

公开(公告)号：CN103535115A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023172.X

申请日：2012-02-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 迫勘治朗 ,  舛谷享祐 ,  田嶋胜 ,  广濑克昌

IPC: H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5209 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5275

Abstract: 本发明通过有机发光元件10，能够提供光取出效率高、发光效率高的有机发光元件，所述有机发光元件10含有在基板11上形成的透明的阳极层12、贯穿阳极层12而形成的第1贯穿部16、覆盖阳极层12的上表面和第1贯穿部16的内表面而形成的电介质层13、贯穿阳极层12和电介质层13而形成的第2贯穿部17、至少覆盖第2贯穿部17的内表面而形成的含发光层的有机化合物层14、和在有机化合物层14上形成的阴极层15，并且电介质层13的折射率比阳极层12的折射率小。

公开(公告)号：CN103946999A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056683.1

申请日：2012-11-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 山崎祐介 ,  舛谷享祐

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/566

Abstract: 有机发光元件(10)，其特征在于，包含：基板(110)；多个第1导电层(120)，其在基板(110)上隔开间隙而形成，相互电隔离；第2导电层(130)，其形成在第1导电层(120)上和基板(110)的设置了间隙的部分上，由相互隔离的多个区域(132)构成；有机化合物层(140)，其包含发光层，且至少层叠于在第1导电层(120)上形成的第2导电层(130)的多个区域(132上；以及至少在有机化合层(140)上形成的第3导电层(150)，在第1导电层(120)和第3导电层(150)在俯视下重叠的发光区域的第1导电层(120)的各个之上，形成有第2导电层(130)的至少2个区域(132)，第2导电层130的区域(132)的各个仅与第1导电层(120)中的某一个接触或者与每个第1导电层(120)都电隔离。

公开(公告)号：CN103621178A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030795.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 迫勘治朗 ,  舛谷享祐 ,  田岛胜 ,  广濑克昌

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5361

Abstract: 一种有机发光元件(10)，包含：在基板(11)上形成的阳极层(12)；贯通阳极层(12)而形成的第1贯通部(16)；覆盖阳极层(12)的上表面和第1贯通部(16)的内表面而形成的电介质层(13)；在电介质层(13)的上表面不贯通电介质层(13)而形成的多个凹部(18)；贯通阳极层(12)和电介质层(13)而形成的第2贯通部(17)；至少覆盖电介质层(13)的上表面、凹部(18)的内表面和第2贯通部(17)的内表面而形成的、包含发光层的有机化合物层(14)；和在有机化合物层(14)上形成的阴极层(15)。

公开(公告)号：CN103493121A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019653.3

申请日：2012-02-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 迫勘治朗 ,  舛谷享祐 ,  田嶋胜 ,  广濑克昌

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5275 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明通过含有在基板11上形成的阳极层12、在阳极层12上形成的电介质层13、至少贯穿电介质层13而形成的多个第1凹部16和在电介质层13的上表面上没贯穿电介质层13而形成的多个第2凹部17、至少覆盖电介质层13的上表面、第1凹部16的内表面和第2凹部17的内表面而形成的含有发光层的有机化合物层14、以及在有机化合物层14上形成的阴极层15的有机发光元件10，提供光取出效率高、发光效率高的有机发光元件。

公开(公告)号：CN101490858B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780008849.1

申请日：2007-02-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 舛谷享祐

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光二极管(10)具有主光提取表面并包括具有半导体层(130至135)的化合物半导体层(13)、在所述化合物半导体层中包含的发光部分(12)、在所述发光部分中包含的发光层(133)、被接合到所述化合物半导体层的透明衬底(14)、以及在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上形成的极性相反的第一和第二电极(15、16)。在通过去除所述半导体层(132至134)而暴露的化合物半导体层的一部分上的位置处形成所述第二电极，并且所述第二电极具有由所述半导体层包围的其周边。所述主光提取表面具有最大宽度为0.8mm或更大的外部形状。

公开(公告)号：CN101939856A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104166.5

申请日：2009-02-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 舛谷享祐 ,  竹内良一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/387

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光二极管(101)，在该化合物半导体发光二极管(101)中，在透明基体部(25)上形成有元件构造部(10)，该元件构造部(10)包括第一传导型的化合物半导体层、由磷化铝镓铟混晶(组成式(AlXGa1-X)0.5In0.5P；0≤X＜1)形成的发光层(13)、以及与第一传导型相反的传导型的化合物半导体层，在所述元件构造部(10)上设置有第一欧姆电极(1)，在所述透明基体部(25)的相反侧形成有第二欧姆电极(5)，覆盖所述第二欧姆电极(5)而形成有金属被膜(6)，覆盖所述金属被膜(6)而形成有与所述第二欧姆电极(5)导通的金属制的底座部(7)。