公开(公告)号：CN108389940A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810492929.9

申请日：2012-08-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 德永悠 ,  松村笃

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供防止反射率的降低、能够实现高辉度发光的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管的制造方法的特征在于，依次具有：在生长用基板上形成依次包含发光层以及电流扩散层的化合物半导体层的工序；在所述电流扩散层上形成间隔地配置的点状的多个欧姆接触电极的工序；在所述电流扩散层上，以使所述多个欧姆接触电极的表面之中的周缘部以外露出的方式形成透明膜的工序；在所述透明膜上及所述欧姆接触电极的露出的部分上形成反射层的工序；在所述反射层上形成接合层的工序；在所述接合层上接合基板的工序；和除去所述生长用基板的工序。

公开(公告)号：CN104718632B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201380052677.3

申请日：2013-10-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 松村笃 ,  德永悠

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明在金属反射膜与化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在化合物半导体层的与半导体基板的相反侧依次设置欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，欧姆电极的表面由线状部覆盖，欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与盘部重叠的位置，多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与线状部重叠的位置。本发明能够提供在维持发光输出的状态下，达成低正向电压的发光二极管。

公开(公告)号：CN103890981B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280051930.9

申请日：2012-10-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 松村笃 ,  德永悠

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层24a）供给的电流的电流隔断部（13）。

公开(公告)号：CN103733360A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280037525.1

申请日：2012-08-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 德永悠 ,  松村笃

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供防止反射率的降低、能够实现高辉度发光的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，是在基板（1）上依次具备反射层（6）、间隔地埋设有多个欧姆接触电极（7）的透明膜（8）、和依次包含电流扩散层（25）以及发光层（24）的化合物半导体层（10）的发光二极管，欧姆接触电极（7）的基板（1）侧的表面的周缘部被透明膜（8）覆盖，欧姆接触电极（7）与反射层（6）以及电流扩散层（25）接触。

公开(公告)号：CN104718632A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380052677.3

申请日：2013-10-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 松村笃 ,  德永悠

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明在金属反射膜与化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在化合物半导体层的与半导体基板的相反侧依次设置欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，欧姆电极的表面由线状部覆盖，欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与盘部重叠的位置，多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与线状部重叠的位置。本发明能够提供在维持发光输出的状态下，达成低正向电压的发光二极管。

公开(公告)号：CN103890981A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051930.9

申请日：2012-10-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 松村笃 ,  德永悠

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管（100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层（24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极（7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部（12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层（24a）供给的电流的电流隔断部（13）。