公开(公告)号：CN103137500A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210495599.1

申请日：2012-11-28

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 伊藤洋行 ,  樱田伸一

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14151 ,  H01L2224/14156 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本文公开一种制造半导体器件的方法，包括：堆叠多个半导体芯片以形成第一芯片层叠体，提供底部填料以填充半导体芯片之间的间隙，使得在第一芯片层叠体周围形成填角部分，以及修整填角部分以形成第二芯片层叠体。

公开(公告)号：CN101971303B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880103167.3

申请日：2008-09-02

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

发明人： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

摘要： 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。

公开(公告)号：CN102089872B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980105722.0

申请日：2009-02-18

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

发明人： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN101425341B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200810173861.4

申请日：2008-10-29

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 宫武伸一 ,  小川澄男

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C17/18

摘要： 本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入缺陷地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使当各自不同的缺陷地址被写入到多个芯片时，可以在非常短的时间段完成对锁存电路的写过程。由此，可以对芯片并行地执行对反熔丝元件的写入的实际过程，结果，可以以高速执行对反熔丝元件的写入过程。

公开(公告)号：CN102820283A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210189126.9

申请日：2012-06-08

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 石川透

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/065

CPC分类号： G11C7/1057 ,  G01R31/2884 ,  G11C5/04 ,  G11C7/1051 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/48 ,  H01L22/34 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。一种器件，包括：半导体衬底；穿透半导体衬底的第一穿透电极；第一测试焊盘；和耦合在第一穿透电极和第一测试焊盘之间的第一三态缓冲器。第一三态缓冲器在其控制端子上接收缓冲器控制信号。该器件进一步包括为第一三态缓冲器提供缓冲器控制信号的缓冲器控制电路。

公开(公告)号：CN102790040A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210157178.8

申请日：2012-05-18

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 石川透

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/58 ,  G01N27/04

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明涉及一种具有芯片裂纹检测结构的半导体器件。一种器件，其包括半导体衬底、第一穿透电极和每个都穿过所述第二半导体衬底的多个第二穿透电极、形成在所述衬底的一侧上的第一端子和多个第二端子以及形成在衬底的相反侧上的第三端子和多个第四端子。第一和第三端子中的每个与第一穿透电极垂直对齐并且电连接到第一穿透电极。每个第二端子与第二穿透电极中关联的一个垂直对齐并且电连接到第二穿透端子中没有与关联的第二端子垂直对齐的另一个。每个第四端子与第二穿透电极中关联的一个垂直对齐并且电连接到第二穿透电极中关联的一个。还设置有导线，导线包括电连接到第一端子的第一端部和电连接到第二端子中选择的一个的第二端部。

公开(公告)号：CN101136245B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710148161.5

申请日：2007-08-28

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 藤泽宏树

IPC分类号： G11C11/4063 ,  G11C11/4076

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C7/1018 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1069 ,  G11C7/1087 ,  G11C11/4082 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4093 ,  G11C2207/107

摘要： 一种半导体存储器件，包括：连接到数据输入/输出端DQ的FIFO块；并行输入和输出经由数据输入/输出端DQ连续地输入和输出的n位数据的时分传输电路；在该时分传输电路和FIFO块之间执行数据传输的数据总线RWBS；以及设置突发长度的模式寄存器。当对该模式寄存器可设置的最小突发长度是m(＜n)时，该时分传输电路使用数据总线，与突发长度无关地以m位为单位执行数据传输。由此，可以在不执行突发突变的条件下，将突发长度设置得小于预取数目。

公开(公告)号：CN101483061B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200910002614.2

申请日：2009-01-09

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 松井义德

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C8/12 ,  G06F13/16

CPC分类号： G11C7/1075

摘要： 本发明提供一种半导体存储装置和包括该半导体存储装置的数据处理系统。一种半导体装置，包括多个存储单元阵列、多个端口、多个内部地址生成电路以及控制器。多个内部地址生成电路可以生成多个存储单元阵列的第一和第二存储单元阵列的第一和第二内部地址。第一内部地址可以指定第一存储单元阵列的第一区域。第二内部地址可以指定第二存储单元阵列的第二区域。控制器从第一区域按顺序地读出一系列数据，并且将该读出的系列数据按顺序地写入至第二区域而不将该读出的系列数据传输至多个端口。

公开(公告)号：CN102089871A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980105714.6

申请日：2009-02-18

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

发明人： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

摘要： Sr-Ti-O系膜的成膜方法包括：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，向上述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序；对第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序；向处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在第一Sr-Ti-O系膜上形成第二Sr-Ti-O系膜的工序；和对第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序。

公开(公告)号：CN101304252B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810093012.8

申请日：2005-03-24

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 永田恭一

IPC分类号： H03K19/0185

CPC分类号： H03K19/018521 ,  H03K19/0013

摘要： 独立的控制信号被传输到驱动器控制单元和输出晶体管的每一个，以便防止驱动器控制单元和输出晶体管在同时工作并且减小直通电流。因为晶体管比率可以被容易地选择，因此增加了设计灵活性程度，并取得速度方面的改善。