制造半导体器件的方法

Invention Publication

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Patent Title: 制造半导体器件的方法
Patent Title (English): Method of manufacturing semiconductor device
Application No.: CN201210495599.1

Application Date: 2012-11-28
Publication No.: CN103137500A

Publication Date: 2013-06-05
Inventor: 伊藤洋行 , 樱田伸一
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Applicant Address: 日本东京
Assignee: 尔必达存储器株式会社
Current Assignee: PS4拉斯口有限责任公司
Current Assignee Address: 日本东京
Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
Agent 李兰; 孙志湧
Priority: 2011-258950 2011.11.28 JP; 2012-236607 2012.10.26 JP
Main IPC: H01L21/56
IPC: H01L21/56 ; H01L21/60

Abstract:

本文公开一种制造半导体器件的方法，包括：堆叠多个半导体芯片以形成第一芯片层叠体，提供底部填料以填充半导体芯片之间的间隙，使得在第一芯片层叠体周围形成填角部分，以及修整填角部分以形成第二芯片层叠体。

Abstract(English):

Disclosed herein is a method of manufacturing a semiconductor device that includes stacking a plurality of semiconductor chips to form a first chip laminated body, providing an underfill material to fill gaps between the semiconductor chips so that a fillet portion is formed around the first chip laminated body, and trimming the fillet portion to form a second chip laminated body.

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Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56	....封装，例如密封层、涂层