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公开(公告)号：CN102820222A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210296623.9
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/45531 , H01G4/1227 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。
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公开(公告)号：CN102089872A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980105722.0
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/45531 , H01G4/1227 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。
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公开(公告)号：CN101971303A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200880103167.3
申请日：2008-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/409 , C23C16/45531 , H01L21/02197 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。
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公开(公告)号：CN101971303B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880103167.3
申请日：2008-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/409 , C23C16/45531 , H01L21/02197 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。
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公开(公告)号：CN102089872B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980105722.0
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/45531 , H01G4/1227 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102089871A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980105714.6
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C16/45527 , C23C16/45531 , C23C16/56 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L28/40
Abstract: Sr-Ti-O系膜的成膜方法包括：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，向上述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序；对第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序；向处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在第一Sr-Ti-O系膜上形成第二Sr-Ti-O系膜的工序；和对第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序。
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公开(公告)号：CN108796470A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810384157.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中，例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。
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公开(公告)号：CN101395297A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007041.1
申请日：2007-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/06 , C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/4405 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种钌膜的成膜方法以及计算机能够读取的存储介质，该钌膜的成膜方法为，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，向处理容器内导入钌的戊二烯基化合物气体(例如2，4－二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌)和氧气，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。此外，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，以钌化合物气体和能分解该化合物的分解气体中的至少一方的流量能够周期性变化的方式导入这些气体，交互地形成不同气体组成的多个步骤，在这些步骤间不对处理容器内进行吹扫，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。
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公开(公告)号：CN100369230C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN01820602.6
申请日：2001-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , C23C14/50 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/4585 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6835 , H01L2924/3025
Abstract: 在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜沉积在晶片的处理表面上。
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公开(公告)号：CN103124806B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201180046575.1
申请日：2011-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/30 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC classification number: C23C16/06 , C23C16/305 , C23C16/44 , C23C16/45523 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，在处理容器内配置基板，将气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料导入到上述处理容器内通过CVD在基板上形成成为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜，其具有如下工序：将气态的Ge原料和气态的Sb原料、或在它们基础上还将不形成Ge2Sb2Te5程度的少量的气态的Te原料导入上述处理容器内，在基板上形成不含Te或含有与Ge2Sb2Te5相比少量的Te的前体膜的工序（工序2）以及将气态的Te原料导入处理容器内，使Te吸附在前体膜上，调整膜中的Te浓度的工序（工序3）。
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