电介质薄膜的成膜方法

Invention Grant

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Patent Title: 电介质薄膜的成膜方法
Application No.: CN201180053170.0

Application Date: 2011-10-03
Publication No.: CN103189968B

Publication Date: 2016-11-30
Inventor: 木村勋 , 神保武人 , 小林宏树 , 远藤洋平 , 大西洋平
Applicant: 株式会社爱发科
Applicant Address: 日本神奈川县
Assignee: 株式会社爱发科
Current Assignee: 株式会社爱发科
Current Assignee Address: 日本神奈川县
Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
Agent 臧霁晨; 刘春元
Priority: 2010-227008 2010.10.06 JP
International Application: PCT/JP2011/072805 2011.10.03
International Announcement: WO2012/046706 JA 2012.04.12
Date entered country: 2013-05-03
Main IPC: H01L21/316
IPC: H01L21/316 ; C01G21/06 ; C01G25/00 ; C23C14/02 ; C23C14/08 ; C23C14/34

Abstract:

本发明提供能够形成具有（100）/（001）取向的PZT薄膜的电介质薄膜的成膜方法。使PbO气体附着在衬底的表面形成种子层后，一边在已抽真空的真空槽内对衬底进行加热一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在衬底的表面上形成PZT薄膜。由种子层提供Pb和O，得到在PZT薄膜上不发生Pb缺损的、具有（001）/（100）取向的PZT膜。

Public/Granted literature

CN103189968A 电介质薄膜的成膜方法 Public/Granted day:2013-07-03

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层