Invention Grant
- Patent Title: 电介质成膜装置和电介质成膜方法
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Application No.: CN201180048223.XApplication Date: 2011-10-03
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Publication No.: CN103140601BPublication Date: 2015-08-05
- Inventor: 木村勋 , 神保武人 , 小林宏树 , 远藤洋平 , 大西洋平
- Applicant: 株式会社爱发科
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 何欣亭; 王忠忠
- Priority: 2010-227009 2010.10.06 JP
- International Application: PCT/JP2011/072804 2011.10.03
- International Announcement: WO2012/046705 JA 2012.04.12
- Date entered country: 2013-04-03
- Main IPC: C23C14/34
- IPC: C23C14/34

Abstract:
提供能够形成(100)/(001)取向的电介质膜的电介质成膜装置和电介质成膜方法。电介质成膜装置(10)具有加热配置在从靶(21)放出的粒子附着的位置的防附着板(34)的防附着板加热部(19)。从溅射气体导入部(14)向真空槽(11)内导入溅射气体,将防附着板(34)加热至比成膜温度高的温度,使蒸气从附着在防附着板(34)的薄膜放出,在基板(31)形成籽晶层后,使基板(31)为成膜温度,从电源(13)对靶(21)施加交流电压,对靶(21)进行溅射,以将电介质膜成膜于基板(31)。
Public/Granted literature
- CN103140601A 电介质成膜装置和电介质成膜方法 Public/Granted day:2013-06-05
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IPC分类: