公开(公告)号：CN103996634A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410054295.0

申请日：2014-02-18

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具一教 ,  阿列克谢·加里宁 ,  李守真 ,  成晓星

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L22/10

Abstract: 半导体制造装置和利用该半导体制造装置的半导体制造方法，具体涉及利用等离子体的基板处理装置和利用该基板处理装置的基板处理方法。根据本发明的一实施例的基板处理方法包括：传送步骤，基板传送到腔体内部的处理空间；夹紧步骤，第1气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，上述基板固定在支承部件上；基板处理步骤，第2气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，对上述基板实施利用上述等离子体的工序；以及检测步骤，接受上述腔体内部的光并分析所接受的上述光从而检测上述腔体内部状况，在上述检测步骤中测量上述腔体内部状况，从而决定是否实施上述基板处理步骤。